[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201611004830.7
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN106920774B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 成田勝俊
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/544
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

1.一種半導體裝置的制造方法，所述制造方法的特征在于包括：

(a)在半導體晶片的表面上形成標記，所述標記包括與所述半導體晶片的材料不同的材料，所述標記的至少一部分布置在位于所述表面上的預定周邊區域的范圍內,所述預定周邊區域位于待形成半導體元件的相應的預定元件區域的周圍；

(b)在步驟(a)之后，利用所述標記在所述預定元件區域內形成所述半導體元件；

(c)在步驟(b)之后，形成跨越所述表面上的包括所述預定元件區域或所述預定周邊區域的范圍而延伸的膜從而用所述膜覆蓋所述標記的至少一部分；以及

(d)在步驟(c)之后，沿著切割區域切斷所述半導體晶片，所述切割區域位于所述預定周邊區域的周圍,

所述膜包括由金屬材料形成的電極膜,

所述步驟(c)包括跨越從所述預定元件區域延伸到所述預定周邊區域的范圍而形成所述膜。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于

步驟(d)包括規定基于所述標記而布置所述半導體元件的位置。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于

所述膜包括由樹脂材料形成的保護膜。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于

在所述步驟(c)中，至少形成所述保護膜。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于

所述步驟(c)包括：跨越所述半導體晶片的所述表面上的從所述預定元件區域、所述預定周邊區域延伸經過所述切割區域的范圍而形成所述樹脂材料的膜，所述樹脂材料的所述膜構成所述保護膜；以及

在形成所述樹脂材料的所述膜之后，移除所述樹脂材料的所述膜的位于所述切割區域的部分。

6.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于

所述樹脂材料為聚酰亞胺。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于進一步包括

(e)在所述步驟(a)之前，確定所述半導體晶片中的所述預定元件區域、所述預定周邊區域，以及所述切割區域。

8.一種半導體裝置，所述半導體裝置是通過使用權利要求1-7中任一項所述的半導體裝置的制造方法而制造的，其特征在于包括：

半導體基板，其包括形成半導體元件的元件區域，以及位于所述元件區域周圍的周邊區域；

標記，其布置在位于所述半導體基板的表面上的所述周邊區域中的范圍內，所述標記包括與所述半導體基板的材料不同的材料；以及

膜，其在所述表面上的包括所述周邊區域的范圍內延伸，從而覆蓋所述標記的至少一部分。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于

所述膜定位為跨越所述表面上的從所述元件區域延伸到所述周邊區域的范圍。

10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于

所述膜包括由樹脂材料形成的保護膜。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于

所述樹脂材料為聚酰亞胺。

12.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于

所述膜包括由金屬材料制成的電極膜。