[發(fā)明專利]制造顯示設(shè)備的方法以及使用該方法制造的顯示設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611001495.5
• 申請(qǐng)日: 2016-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106920817B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李昌漢;樸龍晙;沈昌祐;李相憲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);尹淑梅

1.一種制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括：

準(zhǔn)備包括顯示區(qū)域以及在所述顯示區(qū)域外側(cè)的焊盤區(qū)域的基底；

在所述焊盤區(qū)域中形成犧牲層；

在所述顯示區(qū)域和所述焊盤區(qū)域的上方形成包封層；

通過(guò)增大所述犧牲層的體積或者通過(guò)氣化或蒸發(fā)所述犧牲層的至少一部分而在所述包封層的至少一部分中形成裂紋；以及

去除所述焊盤區(qū)域中的所述包封層的至少一部分，

其中，所述方法還包括：通過(guò)將力施加到在所述犧牲層的上方的所述包封層來(lái)增大所述包封層的形成所述裂紋的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述犧牲層的步驟包括并行地形成所述犧牲層和在所述顯示區(qū)域中的有機(jī)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述犧牲層的步驟包括并行地形成所述犧牲層和在所述顯示區(qū)域中置于像素電極與對(duì)向電極之間的中間層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：

在所述顯示區(qū)域中形成顯示元件，

其中，形成所述犧牲層的步驟包括并行地形成犧牲層以及包括有機(jī)化合物且在所述顯示區(qū)域中至少部分地覆蓋所述顯示元件的覆蓋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述裂紋的步驟包括將激光束照射到所述包封層的在所述犧牲層的上方的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，形成所述裂紋的步驟包括使用在有機(jī)化合物中的吸收率大于在無(wú)機(jī)化合物中的吸收率的所述激光束。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述包封層的步驟包括形成無(wú)機(jī)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，增大所述區(qū)域的步驟包括使用輥。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述包封層的步驟包括：

在所述顯示區(qū)域和所述焊盤區(qū)域的上方形成第一無(wú)機(jī)包封層；

在所述第一無(wú)機(jī)包封層的上方形成有機(jī)包封層，所述有機(jī)包封層包括與所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的第一部分以及與所述第一部分分離且對(duì)應(yīng)于所述焊盤區(qū)域的第二部分；以及

在所述顯示區(qū)域和所述焊盤區(qū)域中形成第二無(wú)機(jī)包封層，以至少部分地覆蓋所述有機(jī)包封層的所述第一部分和所述第二部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一無(wú)機(jī)包封層與所述有機(jī)包封層之間的粘合力大于所述第一無(wú)機(jī)包封層與所述犧牲層之間的粘合力。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，去除所述包封層的所述至少一部分的步驟包括去除所述焊盤區(qū)域中的所述第一無(wú)機(jī)包封層的至少一部分、所述有機(jī)包封層的整個(gè)所述第二部分、以及所述焊盤區(qū)域中的所述第二無(wú)機(jī)包封層的至少一部分。

12.一種制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括：

準(zhǔn)備包括顯示區(qū)域以及在所述顯示區(qū)域外側(cè)的焊盤區(qū)域的基底；

在所述焊盤區(qū)域中形成犧牲層；

在所述顯示區(qū)域和所述焊盤區(qū)域的上方形成包封層；

通過(guò)增大所述犧牲層的體積或者通過(guò)氣化或蒸發(fā)所述犧牲層的至少一部分而在所述包封層的至少一部分中形成裂紋；以及

去除所述焊盤區(qū)域中的所述包封層的至少一部分，

其中，所述方法還包括：

在所述包封層的在所述犧牲層的上方的部分的上方形成附加有機(jī)層，

其中，去除所述包封層的所述至少一部分的步驟包括去除所述包封層的在所述犧牲層的上方的部分以及整個(gè)所述附加有機(jī)層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述包封層與所述附加有機(jī)層之間的粘合力大于所述包封層與所述犧牲層之間的粘合力。