[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體封裝及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610999452.4
• 申請(qǐng)日: 2016-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107634043A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林柏均
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/488
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 馮志云,王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

一集成電路晶粒；

至少一導(dǎo)電終端，設(shè)置于該集成電路晶粒上；

一框架，設(shè)置于該集成電路晶粒上，其中該框架實(shí)質(zhì)暴露該至少一導(dǎo)電終端；以及

至少一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該框架中，其中該至少一導(dǎo)電凸塊電連接該至少一導(dǎo)電終端。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該框架是一支撐層，包含非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料選自于包括硅與二氧化硅組成的群組。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該框架包括：

一支撐層，包含非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料選自于包括硅與二氧化硅組成的群組；以及

一中介層，設(shè)置于該支撐層與該集成電路晶粒之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括至少一導(dǎo)電接頭，設(shè)置于該至少一導(dǎo)電凸塊與該至少一導(dǎo)電終端之間，并且該至少一導(dǎo)電接頭與該至少一導(dǎo)電凸塊形成至少一導(dǎo)電插塞。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中該至少一導(dǎo)電接頭與該至少一導(dǎo)電凸塊由不同材料制成。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該至少一導(dǎo)電凸塊的剖面圖具有一實(shí)質(zhì)非球形側(cè)壁。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該至少一導(dǎo)電凸塊的剖面圖具有一實(shí)質(zhì)垂直側(cè)壁。

8.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

一半導(dǎo)體裝置，具有至少一導(dǎo)電終端；

一框架，設(shè)置于該半導(dǎo)體裝置上，其中該框架實(shí)質(zhì)暴露該至少一導(dǎo)電終端；

至少一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該框架中，其中該至少一導(dǎo)電凸塊電連接該至少一導(dǎo)電終端；

一物件，具有至少一導(dǎo)電墊；以及

一粘著層，設(shè)置于該半導(dǎo)體裝置與該物件之間。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中該框架是一支撐層，包含非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料選自于包括硅與二氧化硅組成的群組。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中該框架包括：

一支撐層，包含非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料選自于包括硅與二氧化硅組成的群組；以及

一中介層，設(shè)置于該支撐層與該集成電路晶粒之間。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，還包括至少一導(dǎo)電接頭，設(shè)置于該至少一導(dǎo)電凸塊與該至少一導(dǎo)電終端之間，并且該至少一導(dǎo)電接頭與該至少一導(dǎo)電凸塊形成至少一導(dǎo)電插塞。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該至少一導(dǎo)電接頭與該至少一導(dǎo)電凸塊由不同材料制成。

13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中該至少一導(dǎo)電凸塊的剖面圖具有一實(shí)質(zhì)非球形側(cè)壁。

14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中該至少一導(dǎo)電凸塊的剖面圖具有一實(shí)質(zhì)垂直側(cè)壁。

15.一種半導(dǎo)體封裝的制造方法，包括以下步驟：

制備具有至少一導(dǎo)電終端的一半導(dǎo)體裝置；

形成一框架于該半導(dǎo)體裝置上，其中該框架實(shí)質(zhì)暴露該至少一導(dǎo)電終端；以及

形成至少一導(dǎo)電凸塊于該框架中，其中該至少一導(dǎo)電凸塊電連接該至少一導(dǎo)電終端。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中形成一框架于該半導(dǎo)體裝置上的步驟包括：

形成一支撐層于該半導(dǎo)體裝置上，該支撐層包含非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料選自于包括硅與二氧化硅組成的群組；

形成一蝕刻掩模層，具有至少一開(kāi)口于該支撐層上，其中該至少一開(kāi)口設(shè)置于該至少一導(dǎo)電終端上方；以及

進(jìn)行一蝕刻工藝，通過(guò)使用該蝕刻掩模層，以形成至少一開(kāi)孔于該支撐層中，其中該至少一開(kāi)孔暴露該至少一導(dǎo)電終端。

17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中形成一框架于該半導(dǎo)體裝置上的步驟包括：

形成一中介層于該半導(dǎo)體裝置上；

形成一支撐層于該中介層上，該支撐層包含非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料選自于包括硅與二氧化硅組成的群組；

形成一蝕刻掩模層，具有至少一開(kāi)口于該支撐層上，其中該至少一開(kāi)口設(shè)置于該至少一導(dǎo)電終端上方；以及

進(jìn)行一蝕刻工藝，通過(guò)使用該蝕刻掩模層，以形成至少一開(kāi)孔于該支撐層中，其中該至少一開(kāi)孔暴露該至少一導(dǎo)電終端。