[發明專利]半導體工藝設備與半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201610999050.4
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN108074788B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 張簡秀峰;劉又誠;呂禎祥;張哲誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/687;H01L21/3065
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭特強;李昕巍

本發明的一些實施例公開了一種半導體工藝設備與半導體裝置的制造方法。此半導體工藝設備包括載臺以及環繞載臺的邊緣環。此邊緣環包括具有第一粗糙度的主表面。邊緣環還包括連接主表面的第一側壁。此第一側壁具有第二粗糙度，且上述第一粗糙度大于此第二粗糙度。

技術領域

本發明一些實施例涉及半導體裝置的工藝設備及使用此半導體工藝設備的半導體裝置的制造方法，且特別涉及一種具有邊緣環的半導體裝置的工藝設備及使用此半導體工藝設備的半導體裝置的制造方法。

背景技術

半導體裝置被用于多種電子應用，例如個人電腦、移動電話、數位相機以及其它電子設備。半導體裝置的制造通常是通過在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層材料、導電層材料以及半導體層材料，接著使用微影工藝圖案化所形成的各種材料層，以形成電路組件和零件于此半導體基板之上。在集成電路的材料及其設計上的技術進步已發展出多個世代的集成電路。相較于前一個世代，每一世代具有更小更復雜的電路。然而，這些發展提升了加工及制造集成電路的復雜度。為了使這些發展得以實現，在集成電路的制造以及生產上相似的發展也是必須的。

在半導體裝置的制造中，多個工藝步驟被用以在半導體晶圓的上制造集成電路。然而，由于半導體裝置的特征尺寸(feature size)持續縮小，工藝亦持續地變得更難以進行。因此，如何提升半導體裝置的工藝良率面臨挑戰。

發明內容

本發明的一些實施例提供一種半導體工藝設備，包括：載臺；及邊緣環，環繞載臺，其中邊緣環包括：主表面，具有第一粗糙度；以及第一側壁，連接主表面，且具有第二粗糙度，其中第一粗糙度大于第二粗糙度。

本發明的一些實施例更提供一種半導體裝置的制造方法，包括：將晶圓置入半導體工藝設備中；及進行蝕刻步驟以蝕刻晶圓，其中半導體工藝設備包括：載臺；及邊緣環，環繞載臺，其中邊緣環包括：主表面，具有第一粗糙度；以及第一側壁，連接主表面，且具有第二粗糙度，其中第一粗糙度大于第二粗糙度。

為讓本發明一些實施例的特征、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合說明書附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A是本發明一些實施例的半導體工藝設備的俯視圖。

圖1B是本發明一些實施例的半導體工藝設備的剖面圖。

圖1C是圖1B于區域1C的部分放大圖。

圖2是本發明一些實施例的半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖3A是本發明一些實施例的半導體工藝設備中的粒子數量分析圖。

圖3B是本發明另一些實施例的半導體工藝設備中的粒子數量分析圖。

圖4是本發明另一些實施例的半導體工藝設備的剖面圖。

圖5是本發明又一些實施例的半導體工藝設備的剖面圖。

圖6是本發明其它一些實施例的半導體工藝設備的剖面圖。

附圖標記說明：

100 半導體工藝設備；

102 腔體；

104 載臺；

105 上表面；

106 邊緣環；

108 晶圓；

109 上表面；

110 底環；

112A 主表面；

112B 次表面；

114A 第一側壁；