[發明專利]半導體工藝設備與半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201610999050.4
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN108074788B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 張簡秀峰;劉又誠;呂禎祥;張哲誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/687;H01L21/3065
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭特強;李昕巍

1.一種半導體工藝設備，包括：

一載臺；及

一邊緣環，環繞該載臺，其中該邊緣環包括：

一主表面，該主表面的整體具有一第一粗糙度；以及

一第一側壁，連接該主表面且面向該載臺，且具有一第二粗糙度，

其中該第一粗糙度大于該第二粗糙度，

其中該第一粗糙度為0.55μm至1.2μm，而該第二粗糙度為0.001μm至0.03μm，

其中該主表面的透光率為20％至50％，而該第一側壁的透光率為90％至99％。

2.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其中該邊緣環還包括：

一次表面，具有一第一側邊以及一第二側邊，其中該次表面的該第一側邊連接該第一側壁；及

一第二側壁，連接該次表面的該第二側邊，其中該第二側壁具有一第三粗糙度，且該第一粗糙度大于該第三粗糙度。

3.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其中該主表面與該第一側壁于一第一轉角連接，其中該第一轉角具有一第四粗糙度，且該第一粗糙度大于該第四粗糙度。

4.如權利要求2所述的半導體工藝設備，其中該次表面與該第二側壁于一第二轉角連接，其中該第二轉角具有一第五粗糙度，且該第一粗糙度大于該第五粗糙度。

5.如權利要求3所述的半導體工藝設備，其中該第一轉角為圓角。

6.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其中該第一側壁為一斜面。

7.一種半導體裝置的制造方法，包括：

將一晶圓置入一半導體工藝設備中；及

進行一蝕刻步驟以蝕刻該晶圓，其中該半導體工藝設備包括：

一載臺；及

一邊緣環，環繞該載臺，其中該邊緣環包括：

一主表面，該主表面的整體具有一第一粗糙度；以及

一第一側壁，連接該主表面且面向該載臺，且具有一第二粗糙度，

其中該第一粗糙度大于該第二粗糙度，

其中該第一粗糙度為0.55μm至1.2μm，而該第二粗糙度為0.001μm至0.03μm，

其中該主表面的透光率為20％至50％，而該第一側壁的透光率為90％至99％。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中該蝕刻步驟為等離子體蝕刻步驟。

9.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中該晶圓是設于該載臺上，且該邊緣環環繞該晶圓。