[發明專利]保護膜覆蓋方法

在審

• 申請號: 201610997931.2
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN106952871A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 巖本拓;吉田博斗;九鬼潤一
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

技術領域

本發明涉及在半導體晶片等晶片的正面上覆蓋保護膜的保護膜覆蓋方法。

背景技術

如本領域技術人員已知的那樣，在半導體器件制造工藝中，在硅等半導體基板的正面上通過呈格子狀排列的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域內形成有IC、LSI等器件。關于這樣形成的半導體晶片，通過沿著分割預定線進行切斷而制造出各個器件芯片。并且，在光器件晶片中，在藍寶石基板等的正面上通過呈格子狀形成的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域內層疊有氮化鎵類化合物半導體等并形成有光器件，沿著分割預定線將該光器件晶片分割成各個發光二極管、激光二極管等光器件芯片并廣泛地應用在電子設備中。

作為沿著分割預定線對這樣的半導體晶片或光器件晶片等晶片進行分割的方法，提出了如下的方法：通過沿著形成在晶片上的分割預定線照射脈沖激光光線來形成激光加工槽，并沿著該激光加工槽借助機械切割裝置來割斷晶片。

與切削加工相比，激光加工能夠加快加工速度，并且即使是由如藍寶石那樣硬度較高的材料構成的晶片也能夠比較容易地進行加工。但是，當沿著晶片的分割預定線照射激光光線時，在所照射的區域內因熱量集中而產生碎屑，該碎屑附著在器件的正面而產生使器件的品質降低的新的問題。

為了解決因上述碎屑而導致的問題，提出了如下的激光加工機：在晶片的加工面上覆蓋聚乙烯醇(PVA)等保護膜，并通過保護膜向晶片照射激光光線。(例如，參照專利文獻1。)

適用于在上述專利文獻1中公開的激光加工機的保護膜的覆蓋方法是所謂的旋涂法，通過向保持在旋轉工作臺上的晶片的中心部提供聚乙烯醇(PVA)等水溶性樹脂，并使旋轉工作臺旋轉而借助離心力來使水溶性樹脂朝向晶片的外周移動，在晶片的正面上形成保護膜。

專利文獻1：日本特開2004-322168公報

然而，由于保護帶被安裝在環狀的框架上，晶片在粘接在該保護帶的正面并保持在旋轉工作臺上的狀態下形成保護膜，所以水溶性樹脂飛散并附著在環狀的框架的上表面。因此，存在如下的問題：在對經由保護帶被支承于環狀的框架的晶片進行搬送時，附著在環狀的框架的上表面的液狀樹脂如粘合劑那樣發生作用而使環狀的框架不能從搬送單元脫離。

并且，雖然也提出了在通過保護膜覆蓋單元在晶片的正面上覆蓋了保護膜之后，向分散在環狀的框架的上表面的水溶性樹脂提供清洗水而將水溶性樹脂從環狀的框架的上表面去除的方案，但存在如下的問題：為了可靠地去除附著在環狀的框架的上表面的水溶性樹脂而需要相當的時間，且不能進行順暢的激光加工。

發明內容

本發明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于，提供保護膜覆蓋方法，能夠容易地將附著在經由保護帶對晶片進行支承的環狀的框架的上表面的液狀樹脂去除。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供保護膜覆蓋方法，利用水溶性樹脂在晶片的正面上覆蓋保護膜，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預定線并且在由該多條分割預定線劃分出的多個區域內形成有器件，該保護膜覆蓋方法的特征在于，

具有如下的工序：

晶片支承工序，在具有對晶片進行收容的開口的環狀的框架的該開口中經由粘合帶而粘接晶片的背面，從而利用環狀的框架對晶片進行支承；

晶片保持工序，在經由粘合帶將晶片支承在環狀的框架上的狀態下以晶片的正面作為上側而保持在旋轉工作臺上；

保護膜覆蓋工序，一邊使旋轉工作臺旋轉一邊向旋轉工作臺所保持的晶片的正面中央區域滴下水溶性樹脂，從而在晶片的正面上覆蓋由水溶性樹脂形成的保護膜；以及

水溶性樹脂去除工序，將在該保護膜覆蓋工序中飛散到環狀的框架的上表面的水溶性樹脂去除，

在該水溶性樹脂去除工序中，一邊使旋轉工作臺旋轉一邊將清洗噴嘴定位在旋轉工作臺所保持的環狀的框架的上表面而向環狀的框架的上表面提供清洗水，并且將空氣噴嘴與該清洗噴嘴相鄰地定位在旋轉方向下游側，提供空氣以使該空氣逆著被提供到環狀的框架的上表面的清洗水的移動而使清洗水暫時滯留并且將清洗水排出到環狀的框架的外側。