[發明專利]具有嵌入式電子裝置的多個平面的封裝裝置在審
| 申請號: | 201610997667.2 | 申請日: | 2016-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN106992170A | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 邁克爾·B·文森特;龔志偉;斯考特·M·海耶斯 | 申請(專利權)人: | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/13;H01L21/98 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 嵌入式 電子 裝置 平面 封裝 | ||
1.一種封裝半導體結構,其特征在于,包括:
互連層;
在所述互連層的第一主表面上的第一微電子裝置;
具有空腔的基板,其中,所述空腔由垂直部分和水平部分限定,其中,所述垂直部分圍繞所述第一微電子裝置,所述水平部分在所述第一微電子裝置上面,并且所述第一微電子裝置在所述水平部分和所述互連層的所述第一主表面之間,使得所述第一裝置在所述空腔中;
被附接到所述基板的所述水平部分的第二微電子裝置;以及
包封劑,所述包封劑在所述互連層上并圍繞所述第一微電子裝置、所述基板和所述第二微電子裝置,使得所述基板被嵌入在所述包封劑中。
2.根據權利要求1所述的封裝半導體結構,其特征在于,所述基板具有第二空腔,其中,所述第二微電子裝置在所述第二空腔中以及所述水平部分在所述第一空腔和所述第二空腔之間。
3.根據權利要求1所述的封裝半導體結構,其特征在于,所述基板包括:
在所述互連層上的第一內插層,所述第一內插層具有圍繞所述第一微電子裝置的開口,所述開口限定所述空腔的至少一部分;以及
包括所述基板的所述水平部分的第二內插層。
4.根據權利要求1所述的封裝半導體結構,其特征在于,另外包括在所述基板的所述垂直部分上的多個互連件,其中,所述包封劑暴露所述多個互連件中的每個互連件的一部分。
5.根據權利要求1所述的封裝半導體結構,其特征在于,另外包括第三微電子裝置,其中,所述第三微電子裝置在所述水平部分的與所述第二微電子裝置被附接到的表面相反的表面上。
6.一種用于形成封裝半導體結構的方法,其特征在于,包括:
將第一微電子裝置放置在載體上,其中,所述第一微電子裝置的第一主表面與所述載體接觸;
將具有空腔的基板放置在所述第一微電子裝置上面,其中,所述基板具有圍繞所述第一微電子裝置的垂直部分,與在所述第一微電子裝置和附接到所述基板的所述水平部分的第二微電子裝置上面的水平部分;
在所述基板上面形成包封劑,其中,所述包封劑圍繞所述第一微電子裝置、所述第二微電子裝置和所述基板;
去除所述載體,其中,去除所述載體暴露所述第一微電子裝置的所述第一主表面和所述基板的所述垂直部分;以及
在所述第一微電子裝置的所述第一主表面上、在所述基板的所述暴露垂直部分上并且在所述包封劑的一部分上形成互連層。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,在將所述基板放置在所述第一微電子裝置上面之前,所述方法包括:
將所述第二微電子裝置附接到所述基板的第一內插層;以及
將所述基板的第二內插層附接到所述第一內插層,其中,所述第二內插層具有圍繞所述第二微電子裝置的開口,并且其中,所述第一內插層包括所述基板的所述水平部分。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,另外包括:
在形成所述包封劑之前,將多個互連件附接到所述基板,其中,所述基板在所述多個互連件和所述互連層之間,其中,形成所述包封劑被執行使得所述包封劑也在所述多個互連件上面形成;以及
研磨所述半導體結構以暴露所述多個互連件中的每個互連件的一部分。
9.一種用于形成封裝半導體結構的方法,其特征在于,包括:
將第一微電子裝置放置在載體上,其中,所述第一微電子裝置的第一主表面與所述載體接觸;
在所述載體上放置具有附接到第二內插層的第一內插層的基板,每個內插層具有對齊以形成空腔的開口,其中,所述空腔圍繞所述第一微電子裝置,并且其中,所述第一微電子裝置具有大于所述第一內插層和第二內插層中的每個內插層的厚度;
在所述基板上面形成包封劑,其中,所述包封劑圍繞所述第一微電子裝置和所述基板;
去除所述載體,其中,去除所述載體暴露所述第一微電子裝置的所述第一主表面和所述基板的所述第一內插層;以及
在所述第一微電子裝置的所述第一主表面上、在所述基板的所述第一內插層上并且在所述包封劑的一部分上形成互連層。
10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,另外包括:
在形成所述包封劑之前,將多個互連件附接到所述基板的所述第二內插層,其中,所述基板在所述多個互連件和所述互連層之間,其中,形成所述包封劑被執行使得所述包封劑也在所述多個互連件上面形成;
研磨所述半導體結構以暴露所述多個互連件中的每個互連件的一部分;以及
在所述互連層上形成第二多個導電互連件,其中,所述互連層在所述第二多個互連件和所述包封劑之間。
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