[發明專利]清洗液和通過使用其制造集成電路器件的方法

有效

• 申請號: 201610997545.3
• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN106909032B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 金珠英;樸貞珠;樸珍;羅惠燮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;G03F7/00;C11D11/00;C11D1/66;H01L21/311
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

公開清洗液和通過使用其制造集成電路器件的方法。所述清洗液包括表面活性劑和去離子水。所述表面活性劑包括具有支化結構的化合物，所述具有支化結構的化合物包括包含疏水性基團的主鏈和多個從所述主鏈支化且具有至少一個親水性官能團的側鏈。所述制造集成電路器件的方法包括：形成光刻膠圖案，隨后將所述清洗液施加至所述光刻膠圖案上。

相關申請的交叉引用

將2015年12月23日在韓國知識產權局提交且標題為“清洗液和通過使用其制造集成電路器件的方法”的韓國專利申請No.10-2015-0185090全部通過參考引入本文中。

技術領域

實施方式涉及清洗液(清洗溶液)和通過使用其制造集成電路器件的方法，且更特別地涉及包括表面活性劑的清洗液和通過使用其制造集成電路器件的方法。

背景技術

隨著電子器件的高度集成和尺寸減小，半導體器件需要更快的運行速度、更低的運行電壓等。為了滿足這些要求，可嚴格地控制在制造半導體器件的過程中形成的圖案的尺寸和形狀的精度。

發明內容

實施方式旨在包括表面活性劑和去離子水的清洗液。所述表面活性劑包括具有支化結構的化合物，所述具有支化結構的化合物包括包含疏水性基團的主鏈和多個從所述主鏈支化且具有至少一個親水性官能團的側鏈。

實施方式還旨在制造集成電路器件的方法，其包括：在基底上形成光刻膠膜；使所述光刻膠膜暴露于光；通過使暴露于光的所述光刻膠膜顯影而形成光刻膠圖案；和通過使用清洗液清洗所述光刻膠圖案，所述清洗液包括表面活性劑，所述表面活性劑包括具有支化結構的化合物，所述具有支化結構的化合物包括包含疏水性基團的主鏈和多個從所述主鏈支化且具有至少一個親水性官能團的側鏈。

實施方式還旨在制造集成電路器件的方法，其包括：在基底上形成光刻膠膜；通過使所述光刻膠膜暴露于光和使所述光刻膠膜顯影而形成具有親水性側壁的光刻膠圖案；通過使用去離子水第一次清洗所述光刻膠圖案；通過將清洗液施加至所述光刻膠圖案上而第二次清洗所述光刻膠圖案，所述清洗液包括表面活性劑，所述表面活性劑包括具有支化結構的化合物，所述具有支化結構的化合物包括包含疏水性基團的主鏈和多個從所述主鏈支化且具有至少一個親水性官能團的側鏈，在所述光刻膠圖案的第二次清洗期間，所述表面活性劑的所述多個側鏈中的所述至少一個親水性官能團能化學鍵合至所述光刻膠圖案的親水性側壁。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述示例性實施方式，特征對于本領域技術人員將變得明晰，在附圖中：

圖1示出用于說明光刻膠圖案由于通常的清洗液而坍塌的原因的橫截面圖；

圖2A和2B示出用于說明如下原理的橫截面圖：通過所述原理，包括在根據實施方式的清洗液中的表面活性劑的多個側鏈中的親水性基團化學鍵合至光刻膠圖案的親水性側壁的多個位點；

圖3示出根據實施方式的制造集成電路器件的方法的程序的流程圖；

圖4A-10B示出用于說明根據實施方式的制造集成電路器件的方法的階段的圖，圖4A、5A、......和10A分別為根據制造集成電路器件的方法的過程順序顯示的平面圖，且圖4B、5B、......和10B分別為沿著圖4A、5A、......和10A的線B-B'所取的橫截面圖；和

圖11示出包括根據實施方式的集成電路器件的系統的框圖。

具體實施方式

現在將在下文中參照附圖更充分地描述實例實施方式；然而，它們可以不同的形式體現并且不應解釋為限于本文中闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式，使得本公開內容將是徹底且完整的，并將示例性實施充分地傳達給本領域技術人員。

在繪制的圖中，為了說明的清楚，層和區域的尺寸可被放大。相同的附圖標記始終表示相同的元件。