[發明專利]清洗液和通過使用其制造集成電路器件的方法

有效

• 申請號: 201610997545.3
• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN106909032B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 金珠英;樸貞珠;樸珍;羅惠燮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;G03F7/00;C11D11/00;C11D1/66;H01L21/311
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.制造集成電路器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成光刻膠膜；

使所述光刻膠膜暴露于光；

通過使暴露于光的所述光刻膠膜顯影而形成光刻膠圖案；和

通過使用清洗液清洗所述光刻膠圖案，所述清洗液包括表面活性劑，所述表面活性劑包括具有支化結構的化合物，所述具有支化結構的化合物包括包含疏水性基團的主鏈和多個從所述主鏈支化且具有至少一個親水性官能團的側鏈，

其中所述具有支化結構的化合物為由式1表示的化合物：

[式1]

其中X¹、X²和X³各自為親水性基團；

R¹、R²和R³各自獨立地為包含取代或未取代的C1-C6烷基的基團、包含取代或未取代的C2-C6烯基的基團、包含取代或未取代的C2-C6雜烯基的基團、包含取代或未取代的C6-C30芳基的基團、包含取代或未取代的C6-C30雜芳基的基團、或包含取代或未取代的C2-C20雜炔基的基團；

Y¹和Y²各自獨立地為包含羥基的基團、包含C1-C6烷基的基團、包含C6-C30芳基的基團、包含氰基的基團、或包含硝基的基團；和

p為大于0且小于或等于2的整數。

2.如權利要求1中所述的方法，其中，Y¹和Y²各自獨立地為包含C1-C6烷氧基的基團、包含C1-C6烷硫基的基團、或包含C2-C6?；幕鶊F。

3.如權利要求1中所述的方法，其中，Y¹和Y²各自獨立地為包含C1-C6烷基羰基氨基的基團、或包含C2-C6酰氧基的基團。

4.如權利要求1中所述的方法，其中，Y¹和Y²各自獨立地為包含C2-C6烷氧羰基的基團。

5.如權利要求1中所述的方法，其中，在清洗所述光刻膠圖案時，所述表面活性劑的側鏈中的所述至少一個親水性官能團化學鍵合至暴露于所述光刻膠圖案的側壁上的親水性基團，由此所述表面活性劑的主鏈和所述光刻膠圖案保持彼此間隔開，其中所述表面活性劑的側鏈中的所述至少一個親水性官能團在所述主鏈和所述光刻膠圖案之間。

6.如權利要求1中所述的方法，其中X¹、X²和X³各自包括陰離子型親水性基團、陽離子型親水性基團、非離子型親水性基團、或其組合；

R¹、R²和R³為疏水性基團；和

Y¹和Y²各自為疏水性連接基團。

7.如權利要求1中所述的方法，其中：

所述清洗液包括所述表面活性劑和去離子水，和

所述表面活性劑以100ppm-5,000ppm的量存在于所述清洗液中，基于所述清洗液的總量。

8.如權利要求1中所述的方法，其中所述清洗液包括：

所述表面活性劑；

去離子水；和

從修整劑、溶解抑制劑和分散劑之中選擇的至少一種添加劑。

9.如權利要求8中所述的方法，其中所述添加劑包括作為修整劑的氫氧化四丁基銨(TBAH)、作為溶解抑制劑的胺、作為分散劑的氫氧化銨、或其組合。

10.如權利要求1中所述的方法，其中所述具有支化結構的化合物為由式2或3表示的化合物：

[式2]

其中在式2中，l、m和n各自為1-5的整數；

[式3]

其中在式3中，m為1或2，且n為1-4的整數。