[發明專利]一種保持電壓的產生電路及電子設備有效
| 申請號： | 201610994781.X | 申請日： | 2016-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN108073211B | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 司徒道明;吳蕾 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張振軍;吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 保持 電壓 產生 電路 電子設備 | ||
1.一種保持電壓的產生電路，其特征在于，包括：
驅動模塊，用于產生驅動電流；
第一保持電壓生成模塊，用于產生第一保持電壓，所述第一保持電壓等于耗電模塊中的NMOS管的閾值電壓；
第二保持電壓生成模塊，用于產生第二保持電壓，所述第二保持電壓等于所述耗電模塊中的PMOS管的閾值電壓；
保持電壓選擇模塊，接收所述驅動電流并與所述第一保持電壓生成模塊以及所述第二保持電壓生成模塊耦接，所述保持電壓選擇模塊用于從所述第一保持電壓與所述第二保持電壓中選擇電壓值較高的一個，以作為所述保持電壓，所述保持電壓用于向所述耗電模塊供電；
其中，所述保持電壓選擇模塊包括：
第二NMOS管，所述第二NMOS管的源極與所述第一保持電壓生成模塊耦接，所述第二NMOS管的柵極和漏極相連并接收所述驅動電流；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的源極與所述第二保持電壓生成模塊耦接，所述第三NMOS管的柵極和漏極相連并接收所述驅動電流；
第四NMOS管以及第五NMOS管，所述第四NMOS管的源極與所述第五NMOS管的源極耦接以輸出所述保持電壓，所述第四NMOS管的柵極與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第五NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的漏極連接，所述第四NMOS管的漏極以及所述第五NMOS管的漏極耦接電源。
2.根據權利要求1所述的產生電路，其特征在于，所述第一保持電壓生成模塊包括：
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏極與柵極相連并與所述保持電壓選擇模塊耦接，所述第一NMOS管的源極接地。
3.根據權利要求2所述的產生電路，其特征在于，所述第一NMOS管與所述耗電模塊中的NMOS管的結構相同。
4.根據權利要求1所述的產生電路，其特征在于，所述第二保持電壓生成模塊包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏極與柵極相連并接地，所述第一PMOS管的源極與所述保持電壓選擇模塊耦接。
5.根據權利要求4所述的產生電路，其特征在于，所述第一PMOS管與所述耗電模塊中的PMOS管的結構相同。
6.根據權利要求1所述的產生電路，其特征在于，所述第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管具有相同的閾值電壓。
7.根據權利要求1所述的產生電路，其特征在于，所述驅動模塊包括：
第二PMOS管，所述第二PMOS管的柵極與源極相連并與電源耦接，所述第二PMOS管的漏極與所述保持電壓選擇模塊耦接；
第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極與源極相連并與所述電源耦接，所述第三PMOS管的漏極與所述保持電壓選擇模塊耦接。
8.根據權利要求1至7任一項所述的產生電路，其特征在于，所述耗電模塊為SRAM。
9.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1至8任一項所述的保持電壓的產生電路以及與其耦接的耗電模塊。
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