[發明專利]形成半導體器件的方法以及半導體器件

有效

• 申請號: 201610991127.3
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN107039502B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 安東·毛德;英戈·穆里;約翰內斯·鮑姆加特爾;伊里斯·莫德;弗蘭克·迪特爾·普菲爾施;漢斯-約阿希姆·舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

本發明提供了形成半導體器件的方法以及半導體器件。根據形成半導體器件的方法，在硅半導體本體的第一表面處形成輔助結構。在半導體本體上在第一表面處形成半導體層。在第一表面處形成半導體器件元件。然后從與第一表面相反的第二表面去除半導體本體至少直至輔助結構的朝向第二表面取向的邊緣。

技術領域

本發明涉及半導體器件領域，尤其涉及一種形成半導體器件的方法以及半導體器件。

背景技術

半導體器件，例如二極管、絕緣柵場效應晶體管(IGFET)(如金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET))、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)包括具有限定半導體器件的功能的摻雜區的半導體本體。對于一些半導體器件特性的器件參數，例如阻斷電壓能力或導通態電阻是半導體本體的在正表面與背表面之間的厚度的函數。半導體本體的厚度變化導致這樣的器件參數的分布。期望減小半導體器件的半導體本體的厚度變化。

發明內容

本公開內容涉及一種形成半導體器件的方法。該方法包括在硅半導體本體的第一表面處形成輔助結構。該方法還包括在半導體本體上在第一表面處形成硅層。該方法還包括在第一表面處形成半導體器件元件。該方法還包括從與第一表面相反的第二表面去除半導體襯底至少直至輔助結構的朝向第二表面取向的邊緣。

本公開內容還涉及一種半導體器件。該半導體器件包括包含相反的第一表面和第二表面的半導體本體。在第一表面處有第一負載端子接觸件。在半導體本體的第二表面處有凹陷的陣列。凹陷具有小于2μm的中心至中心距離p。在第二表面處有第二負載端子接觸件并且第二負載端子接觸件覆蓋凹陷的陣列。

當閱讀以下詳細描述并且參照附圖時，本領域技術人員將認識到另外的特征和優點。

附圖說明

包括附圖以提供對本發明的進一步理解并且附圖被并入本說明書并構成本說明書的一部分。附圖示出了本發明的實施方案并且與描述一起用于說明本發明的原理。由于通過參照下面的詳細描述將更好地理解本發明的其他實施方案和預期優點，所以本發明的其他實施方案和預期優點將很容易被認識到。

圖1是用于示出制造半導體器件的方法的示意性流程圖。

圖2A至圖2G是用于示出制造半導體器件的方法的過程的半導體本體的截面圖。

圖3A至圖3D是在半導體層形成之前在半導體本體上的半導體結構的布置的示意性頂視圖。

圖4A至圖4C是用于示出可以通過包括在圖2A至圖2F中所示的工藝形成的半導體器件的半導體本體的截面圖。

圖5A至圖5F是用于示出制造半導體器件的方法的半導體本體的截面圖。

具體實施方式

在下面的具體實施方式中，參照形成本發明的一部分的附圖，并且在附圖中通過示例的方式示出了本公開內容可實施的具體的實施方案。應理解，在不脫離本發明的范圍的情況下可以利用其他實施方案，并且可以做出結構或邏輯變化。例如，可以將一個實施方案所示出或描述的特征用在其他實施方案上或者結合其他實施方案以產生又一實施方案。本公開內容旨在包括這些修改方案和變化方案。使用特定語言對該實施例進行描述，這不應該被解釋為限制所附權利要求的范圍。附圖不按比例進行繪制，并且僅用于說明目的。為了清楚起見，在不同的附圖中，如果沒有另外說明，相同的元件通過相應的附圖標記表示。

術語“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等是開放式的，并且這些術語表示存在所述結構、元件或特征，但不排除存在另外的元件或特征。單數形式旨在包括復數以及單數，除非上下文另有明確說明。