[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610991127.3
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN107039502B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安東·毛德;英戈·穆里;約翰內(nèi)斯·鮑姆加特爾;伊里斯·莫德;弗蘭克·迪特爾·普菲爾施;漢斯-約阿希姆·舒爾策
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體本體的第一表面處形成輔助結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體本體上在所述第一表面處形成半導(dǎo)體層；

在所述第一表面處形成半導(dǎo)體器件元件；以及

從與所述第一表面相反的第二表面去除所述半導(dǎo)體本體至少達(dá)到所述輔助結(jié)構(gòu)的朝向所述第二表面取向的邊緣，以及其中通過磨削加工從所述第二表面去除所述半導(dǎo)體本體，以及所述磨削加工在距離所述輔助結(jié)構(gòu)的朝向所述第二表面取向的邊緣一定垂直距離處停止，其中通過蝕刻工藝進(jìn)一步去除所述半導(dǎo)體本體至所述輔助結(jié)構(gòu)的朝向所述第二表面取向的邊緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述輔助結(jié)構(gòu)包括：

以小于100keV的離子注入能量將氧離子通過所述第一表面注入所述半導(dǎo)體本體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中氧離子注入的劑量在10¹⁴cm^-2至10¹⁷cm^-2的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在氧離子注入以后，對所述半導(dǎo)體本體進(jìn)行熱處理，其中所述熱處理的目標(biāo)(budget)被配置為使所注入的氧再分配至氧析出物中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：

在所述熱處理之前，從所述第一表面利用粒子對所述半導(dǎo)體本體進(jìn)行輻照。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在所述氧離子注入之前，在所述第一表面上形成圖案化的離子注入掩模。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

在形成所述圖案化的離子注入掩模之前，形成對準(zhǔn)標(biāo)記，并且其中所述圖案化的離子注入掩模相對于所述對準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述輔助結(jié)構(gòu)包括：

在所述半導(dǎo)體層的所述第一表面上形成輔助層圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述輔助結(jié)構(gòu)包括硅氧化物、硅氮化物、氮氧化物、鋁氧化物、碳中之一或其任意組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述輔助層圖案的厚度在5nm至2μm的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述輔助層圖案包括開口陣列，并且所述開口陣列的中心至中心距離p小于2μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層的厚度被設(shè)定為所述中心至中心距離p的至少兩倍。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述半導(dǎo)體本體的被所述輔助層圖案的材料覆蓋的表面積相對于在所述輔助層圖案中在開口下方的表面積之比在0.2至2的范圍內(nèi)，所述開口中的任一個開口的最大側(cè)向尺寸小于2μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一表面處形成半導(dǎo)體器件元件之后，并且在從所述第二表面去除所述半導(dǎo)體本體之前，將所述半導(dǎo)體本體經(jīng)由所述第一表面安裝到載體。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

通過經(jīng)由所述輔助層圖案中的開口作用于所述半導(dǎo)體本體的蝕刻工藝而在所述半導(dǎo)體本體內(nèi)形成凹陷。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

通過所述第二表面將摻雜劑離子注入所述半導(dǎo)體本體，其中所述輔助結(jié)構(gòu)形成用于注入所述摻雜劑離子的離子注入掩模。