[發明專利]具有至少一個視錯覺圖案的硅基部件的制造方法有效
| 申請號: | 201610990311.6 | 申請日: | 2016-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN107215846B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | P·屈贊;A·甘德爾曼;M·穆西 | 申請(專利權)人: | 尼瓦洛克斯-法爾股份有限公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 黃麗娜;吳鵬 |
| 地址: | 瑞士勒*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 至少 一個 錯覺 圖案 基部 制造 方法 | ||
1.具有至少一個視錯覺圖案(14、114、214、314、414、514、614、614’、714、814、914、1014、1114、1214)的至少一個硅基部件(11、111、211、311、411、511、611、611’、711、811、911、1011、1111、1211)的制造方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
a)形成包括硅基層(1)的襯底(10);
b)貫穿所述硅基層(1)的厚度蝕刻至少一個孔(6)以形成所述至少一個硅基部件(11、111、211、311、411、511、611、611’、711、811、911、1011、1111、1211)的輪廓,并且在所述硅基層(1)的厚度中蝕刻盲凹部(5)以在至少一個硅基部件的表面上形成所述至少一個視錯覺圖案(14、114、214、314、414、514、614、614’、714、814、914、1014、1114、1214);
c)釋放由襯底(10)形成的所述至少一個硅基部件(11、111、211、311、411、511、611、611’、711、811、911、1011、1111、1211);
其中,步驟b)包括以下階段:
h)形成具有呈至少一個通孔和所述盲凹部的形狀的開口的第一掩膜;
i)在所述第一掩膜上形成具有僅呈所述至少一個通孔的形狀的至少一個開口的第二掩膜;
j)通過第一各向異性刻蝕經由所述第二掩膜中的所述至少一個開口而對所述硅基層局部地蝕刻;
k)除去所述第二掩膜;
l)通過第二各向異性刻蝕經由所述第一掩膜中的開口而對所述硅基層進行蝕刻,以得到所述至少一個通孔和所述盲凹部;
m)除去所述第一掩膜;
所述盲凹部(5)布置在所述至少一個硅基部件(11、111、211、311、411、511、611、611’、711、811、911、1011、1111、1211)的外周并且形成至少兩組平行部段,第一組(918、922、1018、1022)的平行部段(919、923、1019、1023)與第二組(920、1020、1024)的平行部段(921、1021、1025)垂直,使得所述至少一個硅基部件給出所述至少一個硅基部件的表面被斜切過的錯覺。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述盲凹部(5)形成至少兩組平行部段,由平行部段(119、219、519、719)構成的第一組(118、218、518、718)以10°至170°的角度接合由平行部段(121、221、521、721)構成的第二組(120、220、520、720),使得所述至少一個硅基部件給出所述至少一個硅基部件的表面包括形成邊緣的兩個傾斜表面的錯覺。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述盲凹部(5)形成由彎曲部段(319、321、819、821、1119)構成的至少一個組(318、320、818、820、1118),使得所述至少一個硅基部件給出所述至少一個硅基部件的表面呈穹頂形的錯覺。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述盲凹部(5)形成彼此對稱布置的由凹部(419、619)構成的至少一個組(418、618),所述由凹部構成的至少一個組毗鄰其中所述至少一個硅基部件(11、111、211、311、411、511、611、611’、711、811、911、1011、1111、1211)的表面不具有凹部的部分(432、632)地形成,使得所述至少一個硅基部件給出所述至少一個硅基部件的表面包括形成邊緣的兩個傾斜表面的錯覺。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述盲凹部(5)形成彼此對稱地布置的由凹部(1219)構成的至少一個組(1218),所述由凹部構成的至少一個組由所述至少一個硅基部件(11、111、211、311、411、511、611、611’、711、811、911、1011、1111、1211)的不具有凹部的表面(1232)分界,使得所述至少一個硅基部件給出所述至少一個硅基部件的表面鮮明地由兩種不同材料形成的錯覺。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述盲凹部(5)的深度介于2與100μm之間。
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