[發(fā)明專利]制造微型LED顯示器的方法和微型LED顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610988699.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107026124B | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李紅化;劉恒;邱顯益 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州硅芯電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/82 | 分類號(hào): | H01L21/82;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市睿智專利事務(wù)所 44209 | 代理人: | 陳鴻蔭;王用強(qiáng) |
| 地址: | 510163 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 微型 led 顯示器 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種制造微型LED顯示器的方法和微型LED顯示器;該方法包括在第一基底上放置多個(gè)LED元件;利用托架將同一原色的多個(gè)LED元件中的至少兩個(gè)LED元件從第一基底轉(zhuǎn)移到第二基底;對(duì)于三種原色中的剩余兩種原色之每一種原色的LED元件都實(shí)施至少一次放置和轉(zhuǎn)移的步驟;直到三種原色之LED元件構(gòu)成的RGB LED單元陣列設(shè)置在第二基底上;提供與RGB LED單元陣列之第二表面接觸的第三基底;將第二基底從RGB LED單元陣列上分離;以及提供放置到RGB LED單元陣列之第一表面上的第四基底。本發(fā)明制造微型LED顯示器的方法和微型LED顯示器具有操作簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高和品質(zhì)好等優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)要求于2015年11月27日在美國(guó)提交的、申請(qǐng)?zhí)枮閁S 14/953,246的權(quán)利,其全部通過參考整體引入到此以達(dá)到所有目的。
本發(fā)明申請(qǐng)是一項(xiàng)正式申請(qǐng),要求2014年11月27日提交的第62/085,299號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)、2014年12月15日提交的第62/092,114號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)以及2015年2月2日提交的第62/110,672號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的權(quán)益,這些專利申請(qǐng)中的公開內(nèi)容都以引用的方式納入到本發(fā)明申請(qǐng)中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及LED顯示器及其制造方法, 尤其涉及微型LED顯示器,以及制造微型LED顯示器的方法。本發(fā)明的LED是英文Light Emitting Diode的縮寫,中文意思是“發(fā)光二極管”。
【背景技術(shù)】
發(fā)光二極管(LED)是眾所周知的將電流轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體裝置。LDE發(fā)射的光(波長(zhǎng))的顏色取決于所用的半導(dǎo)體材料。氮化鎵(GaN)已經(jīng)獲得了較多的關(guān)注,因?yàn)槿藗儼l(fā)現(xiàn)氮化鎵(GaN)與銦化合可以產(chǎn)生能夠發(fā)射綠光、藍(lán)光和紫外光的InGaN/GaN半導(dǎo)體層。這種波長(zhǎng)可控性使LED半導(dǎo)體設(shè)計(jì)者能夠調(diào)整材料特性以實(shí)現(xiàn)有益的裝置特性。相應(yīng)地,氮化鎵(GaN)基光電器件技術(shù)自1994年在商業(yè)引進(jìn)以來得到了迅速的發(fā)展。
氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)預(yù)計(jì)用在未來高效照明應(yīng)用中,取代白熾燈和日光燈。目前的GaN基LED裝置是利用異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)在異質(zhì)基底材料上制作的。典型的晶片級(jí)LED裝置結(jié)構(gòu)可以包括在藍(lán)寶石生長(zhǎng)基底上形成的摻氮的GaN下層、單量子井(SQW)或多量子井(MWQ)以及摻磷的GaN上層。
微型LED,也稱為微LED、mLED或μLED,是一種新興的平板顯示器技術(shù)。微型LED顯示器具有形成單獨(dú)像素元件的微觀LED陣列。與廣泛使用的LCD技術(shù)相比,微型LED顯示器提供了更大的對(duì)比度、更快的響應(yīng)時(shí)間,并且使用更少的能量。
現(xiàn)有技術(shù),在制造微型LED顯示器期間,逐個(gè)提供并制造RGB像素。由于這個(gè)過程花費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間,對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)來說,需要更高效且更快的制造方法。本發(fā)明的RGB是指三原色(Red 紅,Green 綠,Blue 藍(lán))。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種制造微型LED顯示器的方法和微型LED顯示器, 具有操作簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高和品質(zhì)好等優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是:
提供一種制造微型LED顯示器的方法, 所述方法包括以下步驟:
S1步驟即放置步驟,在第一基底上放置多個(gè)LED元件,其中所述多個(gè)LED
元件中的每一個(gè)LED元件都具有三種原色中的同一種原色;
S2步驟即轉(zhuǎn)移步驟,利用托架將所述同一原色的多個(gè)LED元件中的至少兩
個(gè)LED元件從第一基底轉(zhuǎn)移到第二基底;
S3步驟,對(duì)于三種原色中的剩余兩種原色之每一種原色的LED元件都實(shí)施
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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