[發明專利]應用于SARADC中的PIP電容陣列的電壓系數校準方法有效
| 申請號： | 201610986709.2 | 申請日： | 2016-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN106788436B | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 王全;馬洋;楊磊;王銘義;何進川 | 申請（專利權）人： | 上海芯圣電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03M1/10 | 分類號： | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201616 上海市松江*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用于 saradc 中的 pip 電容 陣列 電壓 系數 校準 方法 | ||
本發明公開了應用于SARADC中的PIP電容陣列的電壓系數校準方法，涉及PIP電容應用領域。應用于SARADC中的PIP電容陣列的電壓系數校準方法為：在PIP電容陣列中加入誤差，用于抵消電壓系數所帶來的誤差，完成PIP電容電壓系數校準。本發明通過在SARADC中的PIP電容陣列中有規律的加入了誤差來抵消PIP電容本征存在的電壓系數所帶來的誤差，從而從系統層面提高整個SARADC的精度。
技術領域
本發明涉及一種電壓系數校準方法，特別涉及一種應用于SARADC中的PIP電容陣列電壓系數校準方法，屬于PIP電容應用領域。
背景技術
PIP(多晶硅-絕緣層-多晶硅)電容是在標準OTP(One-time Program)或FLASH芯片制造工藝中固有的一種電容類型，其使用的LAYER層次是生產必須經過的層次，因此在芯片設計時經常直接使用該類型的電容來實現各種功能。但是在一些電路設計中尤其是SARADC(逐次逼近寄存器型的模擬數字轉換器)等檢測精度要求較高的場合中，由于PIP電容存在電壓系數較差的本征缺陷，會較大程度的限制SARADC所能達到的檢測精度。而如果采用MIM電容，則往往需要增加芯片制造過程中的成本。
發明內容
針對上述不足，本發明提供一種提高SARADC轉換精度的PIP電容陣列電壓系數校準方法。
一種應用于SARADC中的PIP電容陣列的電壓系數校準方法為：在PIP電容陣列中加入誤差，用于抵消電壓系數所帶來的誤差，完成PIP電容電壓系數校準。
優選的，所述在PIP電容陣列中加入誤差包括：
獲取電壓系數對PIP電容陣列帶來的誤差，根據該誤差對PIP電容陣列中部分電容的大小進行調整。
優選的，所述部分電容表示工作在同一周期且壓差相同的電容。
優選的，獲取電壓系數對PIP電容陣列帶來的誤差的方法為：
獲取SARADC中PIP電容陣列的電壓參數；
PIP電容陣列從SARADC的采樣階段到轉換階段，根據電壓參數，獲取在轉換階段PIP電容陣列兩端電壓差，PIP電容陣列包括第一類電容和第二類電容；第一類電容在轉換階段的第一個周期接基準電壓；第二類電容在轉換階段的第一個周期接地；
根據第一類電容兩端電壓差和第二類電容兩端電壓差，獲取第一類電容和第二類電容的電容變化后的電容值；
根據第一類電容和第二類電容變化后的電容值，獲取電壓系數對PIP電容陣列帶來的誤差。
優選的，在PIP電容陣列中加入誤差的方法為：
減小第一類電容的電容值或增大第二類電容的電容值。
優選的，在PIP電容陣列中加入誤差的方法為：
當第一類電容數量與第二類電容數量相等時，將第一類電容的電容值從初始電容值變為第二類電容變化后的電容值，第二類電容的電容值不變。
優選的，PIP電容陣列的電壓參數包括：PIP電容一端連接的基準電壓VREF，PIP電容一端連接的輸入電壓VIN，PIP電容另一端連接的電源正極輸入電壓VPOS，PIP電容的一階電壓系數VC1，PIP電容的二階電壓系數VC2，所述第一類電容與第二類電容的數目相同。
本發明的有益效果在于，本發明通過在SARADC中的PIP電容陣列中有規律的加入了誤差來抵消PIP電容本征存在的電壓系數所帶來的誤差，從而從系統層面提高整個SARADC的精度。
附圖說明
圖1為本發明所述的采用了PIP電容陣列的電壓系數校準方法的SARADC的模塊圖；
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