[發明專利]一種鉬酸鎂/石墨烯納米片陣列及其制備方法有效
| 申請號： | 201610986194.6 | 申請日： | 2016-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN106564950B | 公開（公告）日： | 2017-12-22 |
| 發明（設計）人： | 張利鋒;賀文杰;劉毅;鄭鵬;原曉艷;郭守武 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C01G39/00 | 分類號： | C01G39/00;C01B32/184 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鉬酸 石墨 納米 陣列 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鉬酸鎂/石墨烯納米片陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)將二水鉬酸鈉與六水氯化鎂按照1:(1～3)的摩爾比溶于去離子水中，并在170～190℃下水熱反應3～7h，產物離心、洗滌、干燥，得到混合物A；
2)按照1:(0.5～1)的質量比，將混合物A與濃度為0.1～0.5mol/L的氧化石墨烯水溶液均勻混合，攪拌、超聲0.5-1h，再將混合均勻的產物離心、洗滌、干燥，得到混合物B；
3)將混合物B在氬氣氣氛下煅燒，得到黑色鉬酸鎂/石墨烯復合材料。
2.根據權利要求1所述的鉬酸鎂/石墨烯納米片陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中，煅燒溫度為400℃～600℃，煅燒時間為1h～3h。
3.一種采用權利要求1或2所述方法制備的鉬酸鎂/石墨烯納米片陣列，其特征在于，所述鉬酸鎂/石墨烯納米片陣列是由垂直交叉的鉬酸鎂/石墨烯納米片組成，橫截面直徑為100±30nm，厚度為20nm。
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