[發明專利]一種半導體存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201610980670.3
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN106653628B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 陸原;陳峰
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 張海英;徐鵬飛

1.一種半導體存儲器，其特征在于，包括自下而上依次堆疊的至少兩個存儲芯片組，上下相鄰的兩個所述存儲芯片組的重布線層通過層間導電柱電連接，且位于最下方的存儲芯片組的重布線層與對外連接凸塊電連接；

所述存儲芯片組包括依次堆疊的至少兩個存儲芯片，以及位于所述至少兩個存儲芯片下方的復合絕緣層，所述至少兩個存儲芯片包封為一體結構，所述重布線層設置在所述復合絕緣層中，所述至少兩個存儲芯片的層內導電柱錯開預設角度，以分別與所述重布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，所述至少兩個存儲芯片的主動面的朝向相同，且所述主動面上設置有焊盤，所述焊盤與所述層內導電柱電連接。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，每個所述存儲芯片組包括二個、三個或四個存儲芯片。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器，其特征在于，所述存儲芯片組內的至少兩個存儲芯片的層內導電柱錯開90°或180°。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，所述復合絕緣層包括上部絕緣層和下部絕緣層，以及位于所述上部絕緣層和下部絕緣層之間的重布線層，所述層內導電柱通過下部絕緣層中的第一通孔與所述重布線層電連接，所述重布線層通過上部絕緣層中的第二通孔與所述層間導電柱電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器，其特征在于，所述上部絕緣層和所述下部絕緣層為有機光敏材料制成。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，所述存儲芯片組內的至少兩個存儲芯片由熱固材料包封。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，所述最下方的存儲芯片組的底部設置有保護層。

9.一種半導體存儲器的制作方法，其特征在于，包括在載板自下而上依次制作至少兩個存儲芯片組，以及制作層間導電柱，所述層間導電柱分別與上下相鄰的兩個所述存儲芯片組的重布線層電連接，且位于最上方的存儲芯片組的重布線層與對外連接凸塊電連接；

其中在制作任一存儲芯片組時，包括如下步驟：

將所述至少兩個存儲芯片依次堆疊，所述至少兩個存儲芯片的層內導電柱錯開預設角度；

將所述至少兩個存儲芯片包封為一體結構，且將所述層內導電柱露出；

在所述一體結構上方形成復合絕緣層，所述復合絕緣層中形成有重布線層，所述重布線層與所述層內導電柱電連接。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述一體結構上方形成復合絕緣層包括：

在所述一體結構上方形成下部絕緣層，以及在所述下部絕緣層上形成第一通孔；

在所述下部絕緣層上方形成重布線層，所述重布線層通過第一通孔與所述層內導電柱電連接；

在所述重布線層上方形成上部絕緣層。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作層間導電柱，包括：

形成上部絕緣層之后，在所述上部絕緣層上形成層間導電柱，所述層間導電柱用于連接相鄰的兩個存儲芯片組。