[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201610979685.8
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN108074867A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 張麗杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

本發明提供一種半導體結構及其形成方法，其中，形成方法包括：提供襯底，所述襯底包括：相鄰的器件區和隔離區；分別在所述器件區和隔離區襯底上形成柵極結構；在所述襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述柵極結構側壁；去除所述隔離區柵極結構，在所述犧牲層中形成第一開口；對所述第一開口底部的襯底進行刻蝕，在所述隔離區襯底和犧牲層中形成第二開口；在所述第二開口中形成隔離結構；形成隔離結構之后，去除所述犧牲層；在所述柵極結構兩側的襯底中形成源漏摻雜區。所述形成方法能夠使所述隔離結構與鄰近隔離結構的器件區柵極結構之間的間距等于器件區相鄰柵極結構之間的間距，從而改善半導體結構性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法。

背景技術

隨著半導體器件集成度的提高，晶體管的關鍵尺寸不斷縮小，關鍵尺寸的縮小意味著在芯片上可布置更多數量的晶體管，進而可以提高器件的性能。然而，隨著器件面積以及器件之間的距離不斷縮小，問題也隨之產生。

為了減小不同晶體管之間的影響，不同晶體管之間的襯底中需要形成隔離結構。形成隔離結構之后，在隔離結構兩側形成晶體管。

形成所述晶體管的步驟包括：在所述隔離結構兩側的襯底上形成柵極結構；在所述柵極結構兩側的襯底中形成凹槽，所述凹槽位于所述隔離結構兩側；在所述凹槽中形成源漏摻雜區。所述隔離結構用于實現隔離結構兩側襯底中的源漏摻雜區之間的隔離。

然而，現有的半導體結構的形成方法容易影響所形成半導體結構性能。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種半導體結構及其形成方法，能夠改善半導體結構性能。

為解決上述問題，本發明提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括：相鄰的器件區和隔離區；分別在所述器件區和隔離區襯底上形成柵極結構；在所述襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述柵極結構側壁；去除所述隔離區柵極結構，在所述犧牲層中形成第一開口；對所述第一開口底部的襯底進行刻蝕，在所述隔離區襯底和犧牲層中形成第二開口；在所述第二開口中形成隔離結構；形成隔離結構之后，去除所述犧牲層；在所述柵極結構兩側的襯底中形成源漏摻雜區。

可選的，所述隔離結構包括：隔離層和位于所述隔離層上的保護層；形成所述隔離結構的步驟包括：在所述第二開口中形成隔離層；在所述隔離層上形成保護層，所述保護層的材料與所述隔離層的材料不相同。

可選的，所述犧牲層的材料與所述隔離層的材料相同。

可選的，所述隔離層表面高于或齊平于所述犧牲層表面；在所述隔離層上形成保護層的步驟包括：對所述隔離層進行刻蝕，去除部分厚度的隔離層，在所述犧牲層中形成第三開口；在所述第三開口中形成保護層。

可選的，對所述隔離層進行刻蝕之前，還包括：在所述犧牲層上形成掩膜層，所述掩膜層暴露出所述隔離層。

可選的，對所述隔離層進行刻蝕的工藝包括：干法刻蝕或濕法刻蝕。

可選的，形成所述保護層的工藝包括：化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。

可選的，所述犧牲層的材料與所述隔離結構的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

可選的，所述保護層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

可選的，所述犧牲層的材料與所述隔離結構的材料不相同。

可選的，去除所述隔離區柵極結構的步驟包括：在所述器件區柵極結構上形成圖形化的掩膜層；以所述掩膜層為掩膜對柵極結構進行刻蝕，去除所述隔離區柵極結構，形成第一開口。

可選的，所述犧牲層的材料為硅、鍺或硅鍺；所述隔離結構的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。