[發(fā)明專利]半導體結構及其形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610979685.8
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN108074867A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設計）人: 張麗杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括：相鄰的器件區(qū)和隔離區(qū)；

分別在所述器件區(qū)和隔離區(qū)襯底上形成柵極結構；

在所述襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述柵極結構側(cè)壁；

去除所述隔離區(qū)柵極結構，在所述犧牲層中形成第一開口；

對所述第一開口底部的襯底進行刻蝕，在所述隔離區(qū)襯底和犧牲層中形成第二開口；

在所述第二開口中形成隔離結構；

形成隔離結構之后，去除所述犧牲層；

在所述柵極結構兩側(cè)的襯底中形成源漏摻雜區(qū)。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述隔離結構包括：隔離層和位于所述隔離層上的保護層；形成所述隔離結構的步驟包括：在所述第二開口中形成隔離層；在所述隔離層上形成保護層，所述保護層的材料與所述隔離層的材料不相同。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料與所述隔離層的材料相同。

4.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述隔離層表面高于或齊平于所述犧牲層表面；在所述隔離層上形成保護層的步驟包括：對所述隔離層進行刻蝕，去除部分厚度的隔離層，在所述犧牲層中形成第三開口；在所述第三開口中形成保護層。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述隔離層進行刻蝕之前，還包括：在所述犧牲層上形成掩膜層，所述掩膜層暴露出所述隔離層。

6.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述隔離層進行刻蝕的工藝包括：干法刻蝕或濕法刻蝕。

7.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述保護層的工藝包括：化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。

8.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料與所述隔離結構的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；所述保護層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料與所述隔離結構的材料不相同。

10.如權利要求1或9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述隔離區(qū)柵極結構的步驟包括：在所述器件區(qū)柵極結構上形成圖形化的掩膜層；以所述掩膜層為掩膜對柵極結構進行刻蝕，去除所述隔離區(qū)柵極結構，形成第一開口。

11.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為硅、鍺或硅鍺；所述隔離結構的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層的工藝包括：化學氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝。

13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層之前，還包括：在所述柵極結構側(cè)壁表面形成側(cè)墻層。

14.如權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻層的材料為氮化硅、氮氧化硅或氮氧碳化硅。

15.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述隔離區(qū)柵極結構的工藝包括：干法刻蝕或濕法刻蝕。