[發(fā)明專利]納米級柱狀物林的制作方法

有效

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• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN106430083B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 盧馬才
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B82B3/00;B82Y10/00
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領域，尤其涉及一種納米級柱狀物林的制作方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應用前景。

OLED通常包括：基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設于發(fā)光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導體材料和有機發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復合導致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

通常液晶顯示面板中的CF基板與TFT基板以及AMOLED顯示面板中的TFT基板的制作過程均需要頻繁使用到光刻技術(shù)，光刻技術(shù)又經(jīng)常使用到光阻材料，這使得光阻材料在顯示技術(shù)領域得到了廣泛的應用。

現(xiàn)有一種在光阻表面形成納米級柱狀物林的技術(shù)，又稱為光阻的納米制絨技術(shù)，其可以使光阻的表面積急劇增大，從而在顯示技術(shù)領域存在許多潛在的應用，例如可以應用于氧化銦錫剝離(ITO lift off)制程中：目前三光罩薄膜晶體管(3Mask TFT)制作技術(shù)通常是將鈍化層(PV)與像素電極(Pixel ITO)放在同一道光罩制程內(nèi)完成，但是該技術(shù)遇到了光阻(PR)層上沉積氧化銦錫(ITO)后的剝離問題，通常在光阻層上沉積ITO后再對光阻層進行剝離時會出現(xiàn)剝離時間較長、影響制程時間(Tact time)的問題，并且光阻剝離殘留和毛邊問題都會嚴重影響制程或產(chǎn)品性能。然而，在光阻層表面形成納米級柱狀物林后再進行ITO沉積，會使得沉積于光阻層上的ITO膜厚變小，并且光阻層表面的大量區(qū)域無法被ITO覆蓋，因而與光阻剝離液接觸后，光阻層比較容易被剝離。

對于晶圓(wafer)尺寸的基板，微顯影技術(shù)可以在基板上形成納米級別的圖案，但對于如G4.5代線及以上的高世代線用玻璃基板，目前的微顯影技術(shù)很難在其表面形成納米級別的圖案，因此，有必要提出一種采用非微顯影技術(shù)在高世代線用玻璃基板上形成納米級柱狀物林的方法，以解決納米級柱狀物林在顯示面板的生產(chǎn)中難以應用的問題。

發(fā)明內(nèi)容