[發明專利]納米級柱狀物林的制作方法有效
| 申請號： | 201610977048.7 | 申請日： | 2016-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN106430083B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 盧馬才 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B82B3/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 柱狀 制作方法 | ||
1.一種納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成第一無機物膜層(20)；
步驟2、在所述第一無機物膜層(20)上涂布光阻材料，采用一道光罩對所述光阻材料進行曝光顯影后，得到不完全覆蓋所述第一無機物膜層(20)的光阻層(30)；
步驟3、采用惰性氣體等離子體對所述第一無機物膜層(20)上未被所述光阻層(30)覆蓋的區域進行離子轟擊，將所述第一無機物膜層(20)上的部分無機物材料濺射轉移至所述光阻層(30)的表面，在所述光阻層(30)的表面形成不連續的第二無機物膜層(40)；
步驟4、利用所述不連續的第二無機物膜層(40)作為掩膜，采用蝕刻氣體等離子體對所述光阻層(30)進行蝕刻，在所述光阻層(30)的表面形成數個納米級柱狀物(50)，所述數個納米級柱狀物(50)組成納米級柱狀物林(60)。
2.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述襯底基板(10)為玻璃基板。
3.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述第一無機物膜層(20)的厚度為1μm～1000μm。
4.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述第一無機物膜層(20)的材料包括氮化硅、氧化硅、及氮氧化硅中的至少一種。
5.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述光阻材料包括聚碳酸酯、聚乙二醇對苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂、及聚酰亞胺中的至少一種。
6.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，所述惰性氣體為氬氣。
7.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，所述第二無機物膜層(40)的厚度為
8.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，所述蝕刻氣體為氧氣或者為氧氣與氬氣的混合氣體。
9.如權利要求1所述的納米級柱狀物林的制作方法，其特征在于，所述納米級柱狀物(50)的高度為所述納米級柱狀物(50)的直徑為
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