[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610972086.3
• 申請(qǐng)日: 2016-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106935548A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小幡翼;山下陽(yáng)平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，該晶片的加工方法沿著分割預(yù)定線將該晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片并且利用樹脂包覆一個(gè)個(gè)的器件芯片。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在作為大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的正面上由排列成格子狀的分割預(yù)定線劃分出多個(gè)區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域中形成IC、LSI等器件。通過(guò)沿著分割預(yù)定線對(duì)這樣形成的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切斷，而對(duì)形成有器件的區(qū)域進(jìn)行分割從而制造出一個(gè)個(gè)的器件芯片。

近年來(lái)，開(kāi)發(fā)出如下的封裝技術(shù)：將晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片，并且利用樹脂包覆一個(gè)個(gè)的器件芯片。在下述專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了作為該封裝技術(shù)之一的被稱為晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(WL-CSP)的封裝技術(shù)。

在下述專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的封裝技術(shù)中，在晶片的背面上包覆樹脂，并形成從晶片的正面沿著分割預(yù)定線而到達(dá)樹脂的切削槽，當(dāng)在晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂而包覆各器件芯片并且在切削槽中埋設(shè)了模制樹脂之后，通過(guò)厚度比切削槽的寬度薄的切削刀具對(duì)埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂進(jìn)行切斷，而分割成一個(gè)個(gè)晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(WL-CSP)。

并且，為了提高IC、LSI等半導(dǎo)體芯片的處理能力，將如下的形式的半導(dǎo)體晶片實(shí)用化：通過(guò)在硅等基板的正面上層疊了由SiOF、BSG(SiOB)等無(wú)機(jī)物系的膜和聚酰亞胺系、聚對(duì)二甲苯系等作為聚合物膜的有機(jī)物系的膜構(gòu)成的低導(dǎo)電率絕緣體被膜(Low-k膜)所得到的功能層而形成半導(dǎo)體器件，作為使用該形式的半導(dǎo)體晶片而制造出晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(WL-CSP)的晶片的加工方法開(kāi)發(fā)出包含如下的工序的技術(shù)。

(1)在從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線形成切削槽時(shí)，以使切削刀具的破壞力不會(huì)到達(dá)功能層上所形成的器件的方式沿著分割預(yù)定線向功能層照射激光光線并形成激光加工槽，由此沿著分割預(yù)定線去除功能層(功能層去除工序)。

(2)從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線上所形成的激光加工槽通過(guò)寬度比激光加工槽的寬度窄的第1切削刀具而形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的切削槽(切削槽形成工序)。

(3)在晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在切削槽中埋設(shè)模制樹脂(模制工序)。

(4)在晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上粘貼保護(hù)部件并對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而使切削槽露出(背面磨削工序)。

(5)在劃片帶上粘貼晶片的背面，通過(guò)厚度比切削槽的寬度薄的第2切削刀具而對(duì)埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂進(jìn)行切斷，由此分割成一個(gè)個(gè)晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(WL-CSP)(分割工序)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2006-100535號(hào)公報(bào)

但是，將實(shí)施上述分割工序時(shí)所使用的第2切削刀具的厚度設(shè)定為20μm以下很困難，而且分割預(yù)定線的寬度也被限制，因此第1切削刀具的厚度也必然被限制(例如為40μm以下)，利用第1切削刀具而沿著分割預(yù)定線形成的切削槽的寬度也被限制。因此，埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂的寬度不足夠，在通過(guò)第2切削刀具對(duì)埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂進(jìn)行切斷時(shí)第2切削刀具的側(cè)面與器件芯片的側(cè)面之間所存在的模制樹脂的寬度較小為10μm左右，因此存在給器件芯片的側(cè)面帶來(lái)?yè)p傷且難以利用模制樹脂圍繞器件芯片的外周的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供一種晶片的加工方法，能夠不給器件芯片的側(cè)面帶來(lái)?yè)p傷而得到品質(zhì)良好的、外周被模制樹脂圍繞的器件芯片。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，該器件在正面上具有多個(gè)凸起，該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

槽形成工序，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線照射對(duì)于晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的激光光線，沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的槽；

模制工序，在實(shí)施了該槽形成工序的晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在該槽中埋設(shè)模制樹脂；

保護(hù)部件粘貼工序，在實(shí)施了該模制工序的晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上粘貼保護(hù)部件；

背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了該保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而使該槽露出，并使該槽中所埋設(shè)的模制樹脂在晶片的背面露出；以及