[發明專利]單晶圓旋轉蝕刻清洗機臺的流體收集裝置

在審

• 申請號: 201610970474.8
• 申請日: 2016-11-03
• 公開（公告）號: CN108022854A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 顏錫銘
• 申請（專利權）人: 錫宬國際有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276
• 代理人: 劉云貴;金衛文

本發明揭露一種單晶圓旋轉蝕刻清洗機臺的流體收集裝置，用于收集蝕刻單晶圓的流體，包含：轉盤，固定及旋轉單晶圓；至少一個回收盤，固設于該轉盤的外緣，用以收集該單晶圓旋轉時甩出的該流體；至少一個蓋盤，對應并蓋設于該回收盤上，用以導引該流體流至該回收盤中；至少一個升降組，該升降組包括對稱的兩個升降單元，該升降組連設于該蓋盤，用以相對于該轉盤及該回收盤而上下作動該蓋盤。

技術領域

本發明涉及一種單晶圓旋轉蝕刻清洗機臺的流體收集裝置，尤其涉及一種利用上下作動導引流體的蓋盤而可將不同流體分別收集于對應的回收盤的流體收集裝置。

背景技術

濕式蝕刻為目前半導體制程當中不可或缺的程序之一，一般來說，半導體單晶圓在濕式蝕刻的過程中會經過多道蝕刻清洗的程序，例如，先以A酸進行第一次蝕刻，接著以B酸進行第二次蝕刻，最后再以去離子水沖洗洗凈，而基于成本考慮，所述使用過的蝕刻液需要進行回收再利用，因此，現有的旋轉蝕刻裝置設有多個蝕刻液收集槽，通過將各該蝕刻液收集槽整體相對于放置單晶圓的轉盤上下作動，或者將放置單晶圓的轉盤相對于蝕刻液收集槽上下作動的方式，來分別收集不同的蝕刻液，以避免蝕刻液之間的混摻而造成污染或發生化學變化而造成危險的情況。

若旋轉蝕刻裝置在操作上以將各該蝕刻液收集槽整體相對于放置單晶圓的轉盤上下作動的方式(即單晶圓不動而蝕刻液回收槽上下移動)，來收集不同的蝕刻液，則與各該蝕刻液收集槽連接的排液管只能采用軟式管，且需加泵以將收集到的蝕刻液輸送至回收桶，同時有不易清洗蝕刻液收集槽內部的問題，從而造成軟式管中殘留蝕刻液并因清洗不干凈而有造成污染的疑慮。

若旋轉蝕刻裝置在操作上以將放置單晶圓的轉盤及單晶圓整體相對于蝕刻液收集槽上下作動的方式(即單晶圓上下移動而蝕刻液收集槽不動)，來收集不同的蝕刻液，則有容易造成單晶圓的震動而使其破裂的風險，也有不易清洗蝕刻液收集槽內部的問題。

基于上述現有的旋轉蝕刻裝置的蝕刻液收集槽的缺失，提供一種單晶圓旋轉蝕刻清洗機臺的流體收集裝置，以使該流體收集裝置具有排液管有多種選擇性且不需增加泵以將收集到的蝕刻液輸送至回收桶以及容易清洗該流體收集裝置內部的優點為本發明所欲積極揭露之處。

發明內容

本發明的主要目的在于改善現有的旋轉蝕刻裝置有蝕刻液回收管的形式可選擇性少及不易清洗蝕刻液回收槽內部的問題。

為達上述目的及其他目的，本發明提出一種單晶圓旋轉蝕刻清洗機臺的流體收集裝置，用于收集蝕刻單晶圓的流體，包含：轉盤，固定及旋轉單晶圓；至少一個回收盤，固設于該轉盤的外緣，用以收集該單晶圓旋轉時甩出的該流體；至少一個蓋盤，對應并蓋設于該回收盤上，用以導引該流體流至該回收盤中；至少一個升降組，該升降組包括對稱的兩個升降單元，該升降組連設于該蓋盤，用以相對于該轉盤及該回收盤而上下作動該蓋盤。

于本發明的實施例中，其中該蓋盤為環狀且中央部具有徑向開口。

于本發明的實施例中，其中該徑向開口與該轉盤的外周距離為1～10mm。

于本發明的實施例中，其中該徑向開口與該轉盤的外周距離較佳為3～5mm。

于本發明的實施例中，其中該回收盤為環狀。

于本發明的實施例中，其中該蓋盤還具有導引頂壁及導引側壁，該導引頂壁為朝外方傾斜的環狀頂面，該導引側壁系為該蓋盤的側面，該導引側壁的一部分與該回收盤的側壁的一部分相互重迭。

于本發明的實施例中，其中該回收盤與該蓋盤的數目相等。

于本發明的實施例中，其中該回收盤連接回收管，用以排出該流體。