[發(fā)明專利]單晶圓旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機臺的流體收集裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610970474.8 | 申請日： | 2016-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN108022854A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 顏錫銘 | 申請（專利權(quán)）人： | 錫宬國際有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 劉云貴;金衛(wèi)文 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶圓 旋轉(zhuǎn) 蝕刻 清洗 機臺 流體 收集 裝置 | ||
1.一種單晶圓旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機臺的流體收集裝置，用于收集蝕刻單晶圓的流體，其特征在于，包含：
轉(zhuǎn)盤，固定及旋轉(zhuǎn)單晶圓；
至少一個回收盤，固設(shè)于該轉(zhuǎn)盤的外緣，用以收集該單晶圓旋轉(zhuǎn)時甩出的該流體；
至少一個蓋盤，對應(yīng)并蓋設(shè)于該回收盤上，用以導(dǎo)引該流體流至該回收盤中；
至少一個升降組，該升降組包括對稱的兩個升降單元，該升降組連設(shè)于該蓋盤，用以相對于該轉(zhuǎn)盤及該回收盤而上下作動該蓋盤。
2.如權(quán)利要求1所述的流體收集裝置，其特征在于，該蓋盤為環(huán)狀且中央部具有徑向開口。
3.如權(quán)利要求2所述的流體收集裝置，其特征在于，該徑向開口與該轉(zhuǎn)盤的外周距離為1～10mm。
4.如權(quán)利要求3所述的流體收集裝置，其特征在于，該徑向開口與該轉(zhuǎn)盤的外周距離為3～5mm。
5.如權(quán)利要求1所述的流體收集裝置，其特征在于，該回收盤為環(huán)狀。
6.如權(quán)利要求1所述的流體收集裝置，其特征在于，該蓋盤還具有導(dǎo)引頂壁及導(dǎo)引側(cè)壁，該導(dǎo)引頂壁為朝外方傾斜的環(huán)狀頂面，該導(dǎo)引側(cè)壁為該蓋盤的側(cè)面，該導(dǎo)引側(cè)壁的一部分與該回收盤的側(cè)壁的一部分相互重迭。
7.如權(quán)利要求1所述的流體收集裝置，其特征在于，該回收盤與該蓋盤的數(shù)目相等。
8.如權(quán)利要求1所述的流體收集裝置，其特征在于，該回收盤連接回收管，用以排出該流體。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
