[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610969440.7
• 申請日: 2016-10-27
• 公開（公告）號: CN106986298B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃敬涵;詹勛偉;蔡育軒
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包含：

一載體，其具有一頂面；

一安置于該載體上或內(nèi)之傳感器組件；及

一蓋體，其包含：

一基底基板，其包含一頂面、一底面及一內(nèi)側(cè)壁，該內(nèi)側(cè)壁界定自該基底基板之該頂面延伸至該基底基板之該底面之一穿孔；及

一周邊障壁，其耦接至該基底基板之該底面，且安置于該載體之該頂面上；及

一濾光器，其安置于該基底基板之該頂面上，且覆蓋該穿孔；

(i)其中該基底基板之該內(nèi)側(cè)壁被分為一上部分和一下部分，該上部分實質(zhì)上垂直于該基底基板之該頂面，且該下部分為傾斜的；或

(ii)其中該基底基板之整個該內(nèi)側(cè)壁為傾斜的；且

其中該內(nèi)側(cè)壁之該下部分或整個該內(nèi)側(cè)壁相對于該基底基板之該頂面在15°至小于80°之間的角度傾斜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該內(nèi)側(cè)壁之該下部分或整個該內(nèi)側(cè)壁相對于該基底基板之該頂面在30°至60°之間的角度傾斜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該內(nèi)側(cè)壁之該下部分或整個該內(nèi)側(cè)壁相對于該基底基板之該頂面在40°至50°之間的角度傾斜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該蓋體進一步包含自該基底基板之該頂面突出之一部分，且該蓋體之該突出部分包含一內(nèi)側(cè)壁，該內(nèi)側(cè)壁界定一空間以容納該濾光器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置封裝，進一步包含一黏接劑，該黏接劑填充于由該蓋體之該突出部分之該內(nèi)側(cè)壁所界定之空間中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該黏接劑包含選自以下之導(dǎo)電填充劑：碳黑、金屬粒子、涂布有金屬之粒子或其組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該突出部分之該內(nèi)側(cè)壁為傾斜的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該突出部分之該內(nèi)側(cè)壁相對于該基底基板之該頂面在10°至小于90°之間的角度傾斜。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該突出部分之該內(nèi)側(cè)壁相對于該基底基板之該頂面在30°至60°之間的角度傾斜。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該突出部分之該內(nèi)側(cè)壁相對于該基底基板之該頂面在40°至50°之間的角度傾斜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該蓋體之該基底基板之該內(nèi)側(cè)壁與該蓋體之該基底基板之該底面及該頂面兩者中的至少一者為光反射表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該蓋體為塑料蓋體，且該等光反射表面涂布有反射材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中該蓋體為金屬蓋體。