[發(fā)明專利]動態(tài)隨機存取存儲器結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610967723.8
• 申請日: 2016-11-01
• 公開（公告）號: CN108010883B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 林志豪
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L23/58;H01L27/108
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種動態(tài)隨機存取存儲器結構的制造方法，包括：

提供基底，其中所述基底包括存儲單元區(qū)與周邊電路區(qū)；

于所述存儲單元區(qū)中形成動態(tài)隨機存取存儲器，其中所述動態(tài)隨機存取存儲器包括耦接至電容結構的電容接觸窗；以及

于所述周邊電路區(qū)中形成具有金屬柵極結構的晶體管結構，其中所述金屬柵極結構是通過使用虛擬柵極的制程所形成，其中

所述電容接觸窗與所述虛擬柵極是由同一層導體層所形成。

2.根據權利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構的制造方法，還包括于所述基底中形成埋入式導線，且所述電容接觸窗位于所述埋入式導線的一側。

3.根據權利要求2所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構的制造方法，還包括于所述基底上形成導線結構，其中所述導線結構位于所述埋入式導線的另一側。

4.根據權利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構的制造方法，其中所述電容接觸窗與所述虛擬柵極的形成方法包括：

于所述基底上形成介電層結構；

移除部分所述介電層結構，而于所述存儲單元區(qū)中的所述介電層結構中形成暴露出所述基底的第一開口，且于所述周邊電路區(qū)中的所述介電層結構中形成第二開口；以及

分別于所述第一開口與所述第二開口中形成所述電容接觸窗與所述虛擬柵極。

5.根據權利要求4所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構的制造方法，還包括：

移除部分所述介電層結構，而于所述存儲單元區(qū)中的所述介電層結構中形成暴露出所述基底的第三開口，其中所述第三開口圍繞所述存儲單元區(qū)的邊界；以及

于所述第三開口中形成護環(huán)結構，其中

所述電容接觸窗與所述護環(huán)結構是由同一層導體層所形成。

6.根據權利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構的制造方法，其中所述金屬柵極結構的形成方法包括：

移除位于介電層中的所述虛擬柵極，而于所述介電層中形成第四開口；以及

于所述第四開口中形成所述金屬柵極結構。

7.一種動態(tài)隨機存取存儲器結構，包括：

基底，包括存儲單元區(qū)；

動態(tài)隨機存取存儲器，位于所述存儲單元區(qū)中，其中所述動態(tài)隨機存取存儲器包括耦接至電容結構的電容接觸窗；以及

護環(huán)結構，圍繞所述存儲單元區(qū)的邊界，其中

所述電容接觸窗與所述護環(huán)結構是源自于同一層導體層。

8.根據權利要求7所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構，還包括阻止層，其中所述阻止層設置于所述護環(huán)結構上且覆蓋所述存儲單元區(qū)。

9.根據權利要求7所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構，其中所述動態(tài)隨機存取存儲器包括：

埋入式導線，設置于所述基底中；

介電層結構，設置于所述基底上；

導線結構，設置于所述基底上，且位于所述介電層結構中；

所述電容接觸窗，設置于所述介電層結構中，且連接至所述基底；以及

所述電容結構，設置于所述電容接觸窗上。

10.根據權利要求7所述的動態(tài)隨機存取存儲器結構，其中所述基底還包括周邊電路區(qū)，且所述動態(tài)隨機存取存儲器結構還包括位于所述周邊電路區(qū)中的晶體管結構，其中所述晶體管結構包括：

金屬柵極結構，設置于所述基底上；以及

兩個摻雜區(qū)，設置于所述金屬柵極結構兩側的所述基底中。