[發明專利]動態隨機存取存儲器結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610967723.8
• 申請日: 2016-11-01
• 公開（公告）號: CN108010883B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 林志豪
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L23/58;H01L27/108
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發明涉及一種動態隨機存取存儲器結構及其制造方法，所述方法包括下列步驟。提供基底，其中基底包括存儲單元區與周邊電路區。于存儲單元區中形成動態隨機存取存儲器。動態隨機存取存儲器包括耦接至電容結構的電容接觸窗。于周邊電路區中形成具有金屬柵極結構的晶體管結構。金屬柵極結構是通過使用虛擬柵極的制程所形成。電容接觸窗與虛擬柵極是由同一層導體層所形成。所述方法可有效地將動態隨機存取存儲器的制程與具有金屬柵極結構的晶體管結構的制程進行整合。

技術領域

本發明是有關于一種存儲器結構及其制造方法，且特別是有關于一種動態隨機存取存儲器結構及其制造方法。

背景技術

在傳統的動態隨機存取存儲器結構的周邊電路區中，晶體管元件的柵極材料采用摻雜多晶硅，因此容易產生多晶硅空乏效應(poly depletion effect)，而降低元件效能。

因此，目前發展出一種以金屬柵極結構來取代摻雜多晶硅柵極的晶體管元件，其可有效地防止多晶硅空乏效應產生。

然而，如何有效地將動態隨機存取存儲器的制程與具有金屬柵極結構的晶體管結構的制程進行整合為目前業界亟待解決的課題。此外，如何有效地降低動態隨機存取存儲器的制程復雜度也是目前業界不斷努力的目標。

發明內容

本發明提供一種動態隨機存取存儲器結構的制造方法，其可有效地將動態隨機存取存儲器的制程與具有金屬柵極結構的晶體管結構的制程進行整合。

本發明提供一種動態隨機存取存儲器結構，其可有效地防止存儲單元區中的構件在形成過程中造成周邊電路區的晶體管結構受到損害。

本發明提出一種動態隨機存取存儲器結構的制造方法，包括下列步驟。提供基底，其中基底包括存儲單元區與周邊電路區。于存儲單元區中形成動態隨機存取存儲器。動態隨機存取存儲器包括耦接至電容結構的電容接觸窗。于周邊電路區中形成具有金屬柵極結構的晶體管結構。金屬柵極結構是通過使用虛擬柵極的制程所形成。電容接觸窗與虛擬柵極是由同一層導體層所形成。

本發明提出一種動態隨機存取存儲器結構，包括基底、動態隨機存取存儲器與護環結構。基底包括存儲單元區。動態隨機存取存儲器位于存儲單元區中。動態隨機存取存儲器包括耦接至電容結構的電容接觸窗。護環結構圍繞存儲單元區的邊界。電容接觸窗與護環結構是源自于同一層導體層。

基于上述，在本發明所提出的動態隨機存取存儲器結構的制造方法中，由于電容接觸窗與虛擬柵極是由同一層導體層所形成，因此可有效地將動態隨機存取存儲器的制程與具有金屬柵極結構的晶體管結構的制程進行整合，且可有效地降低制程復雜度。

此外，由于本發明所提出的動態隨機存取存儲器結構具有圍繞存儲單元區邊界的護環結構，因此可有效地防止存儲單元區中的構件在形成周邊電路區的晶體管結構的過程中受到損害。另外，由于電容接觸窗與護環結構是源自于同一層導體層，因此可有效地降低制程復雜度。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1H為本發明一實施例的動態隨機存取存儲器結構的制造流程剖面圖。

圖2為圖1C的上視圖。

圖3為本發明另一實施例的動態隨機存取存儲器結構的剖面圖。

附圖標號說明：

100：基底；

102：隔離結構；

104：埋入式導線；

104a：埋入式導體層；

104b：頂蓋層；