[發明專利]一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201610963226.0
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN106601821A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 李風浪;李舒歆
• 申請（專利權）人: 東莞市聯洲知識產權運營管理有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 連平

1.一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，包括基板、設置在基板上的柵極、設置在基板上且覆蓋柵極的柵絕緣層、在柵絕緣層表面上的半導體層、以及設置在半導體層表面的源級和漏級，且源極與漏極相對設置，其特征在于：柵絕緣層中形成第一高阻區，電導率低于柵絕緣層，且第一高阻區橫穿柵絕緣層；半導體層中形成第二高阻區，電導率低于半導體層，且第二高阻區橫穿半導體層。

2.根據權利要求1所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述柵絕緣層材料為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

3.根據權利要求1所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述第一高阻區形成在所述柵絕緣層中部，第一高阻區材料與柵絕緣層同為氮化硅，且包含N-H鍵、Si-H鍵鍵結，但是第一高阻區N-H鍵、Si-H鍵含量小于柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量。

4.根據權利要求1所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述第一高阻區形成在所述柵絕緣層上部，第一高阻區材料與柵絕緣層同為氮化硅，且包含N-H鍵、Si-H鍵，但是第一高阻區N-H鍵、Si-H鍵含量小于柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量。

5.根據權利要求1所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述半導體層材料為氧化銦鎵鋅。

6.根據權利要求1所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述第二高阻區形成在所述半導體層中部。

7.根據權利要求1或5所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述第二高阻區材料為氧化鎵鋅。

8.根據權利要求1或5所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述源極以及漏極與所述半導體層之間形成氧化鎵鋅層。

9.根據權利要求8所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述氧化鎵鋅層由多層鎵含量不同的氧化鎵鋅分層組成，鎵含量沿著由半導體層至源極以及漏極側方向逐漸增多。

10.根據權利要求1所述的一種具有良好抗靜電擊穿能力的薄膜晶體管，其特征在于：所述柵極、源極以及漏極材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或其合金。