[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及基板保持構件

有效

• 申請號: 201610963040.5
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN106653651B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 佐藤潤;三浦繁博
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H01J37/32;H01J37/20;C23C16/458;C23C16/455
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基板處理裝置，其具有：

處理室；

旋轉臺，其設于該處理室內，沿著周向在表面設有多個用于保持基板的凹坑狀的基板保持區域；

表面積增加區域，其設于所述表面的位于所述基板保持區域的周圍的部分，通過形成凹凸圖案而使所述表面的該部分的表面積相比于平坦面的表面積增加；

以及處理氣體供給部件，其用于向所述旋轉臺的所述表面供給處理氣體，

所述表面積增加區域具有沿著所述基板保持區域的外周的圓環形狀，所述表面積增加區域的表面積與所述基板保持區域所保持的基板的中央區域的表面積大致相同。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述表面積增加區域形成于具有大致圓環形狀的環狀構件的表面，

通過在直徑比所述基板保持區域的直徑大的凹坑設置所述環狀構件，所述表面積增加區域被設于所述旋轉臺的所述表面。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，

所述環狀構件由石英或硅形成。

4.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，

所述環狀構件被分割成多個零件。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述表面積增加區域是在所述旋轉臺的所述表面形成有所述凹凸圖案的區域。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述凹凸圖案是在所述平坦面形成有槽的圖案。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述凹凸圖案是使所述平坦面的表面積增加2倍～30倍的圖案。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述旋轉臺由石英形成。

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述處理氣體供給部件是用于供給蝕刻氣體的蝕刻氣體供給部件，

該蝕刻氣體供給部件設置于沿著所述旋轉臺的周向設置的蝕刻區域。

10.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置還具有：

原料氣體供給區域，其在所述旋轉臺的周向上與所述蝕刻區域分開地設置，具有成膜用原料氣體供給部件；

反應氣體供給區域，其在所述旋轉臺的周向上設于所述原料氣體供給區域與所述蝕刻區域之間，具有成膜用反應氣體供給部件。

11.根據權利要求10所述的基板處理裝置，其中，

在所述蝕刻區域與所述原料氣體供給區域之間、所述原料氣體供給區域與所述反應氣體供給區域之間具有將吹掃氣體向所述旋轉臺的所述表面供給的吹掃氣體供給部件。

12.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

還具有3根以上的基板保持用銷，該3根以上的基板保持用銷設于該基板保持區域的底面內的與所述基板保持區域的內周面分開的位置且是沿著所述基板的外周形狀、克服由所述旋轉臺的旋轉產生的離心力而保持所述基板的位置。

13.根據權利要求12所述的基板處理裝置，其中，

所述基板保持區域的所述內周面與所述基板保持用銷之間的距離設定成為了抑制從所述處理氣體供給部件供給的處理氣體的負載效果所足夠的距離。