[發明專利]一種熱釋電探測器吸收層表面金字塔陣列結構的制備方法有效
| 申請號： | 201610959196.6 | 申請日： | 2016-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN106356445B | 公開（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發明（設計）人： | 梁志清;王濤;伍瀏權;劉子驥;蔣亞東 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L37/02 | 分類號： | H01L37/02;G01J5/12 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱釋電 探測器 吸收 及其 表面 金字塔 陣列 結構 制備 方法 | ||
【說明書】：
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