[發(fā)明專利]一種熱釋電探測器吸收層表面金字塔陣列結(jié)構(gòu)的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610959196.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-10-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106356445B | 公開（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梁志清;王濤;伍瀏權(quán);劉子驥;蔣亞東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L37/02 | 分類號(hào)： | H01L37/02;G01J5/12 |
| 代理公司： | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熱釋電 探測器 吸收 及其 表面 金字塔 陣列 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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