[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610947975.4
• 申請(qǐng)日: 2016-10-24
• 公開（公告）號(hào): CN107993978B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭二虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L27/11517
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，用于制作NOR器件，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底至少包括存儲(chǔ)區(qū)，在所述存儲(chǔ)區(qū)的半導(dǎo)體襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)和被所述隔離結(jié)構(gòu)分割的有源區(qū)，在所述存儲(chǔ)區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成柵極疊層以及包圍所述柵極疊層的層間介電層；

進(jìn)行反轉(zhuǎn)自對(duì)準(zhǔn)接觸孔刻蝕，以在所述層間介電層中形成反轉(zhuǎn)接觸孔；

在所述反轉(zhuǎn)接觸孔內(nèi)填充隔離材料；

去除所述存儲(chǔ)區(qū)中剩余的所述層間介電層，以暴露待形成源極接觸和漏極接觸的區(qū)域；

在所述隔離材料的表面形成間隙壁，所述間隙壁和所述隔離材料在水平方向上各處的總寬度均大于所述隔離材料的最大寬度；

對(duì)所述間隙壁在水平方向上超出所述隔離材料最大寬度的部分進(jìn)行改性處理；

去除所述間隙壁經(jīng)過改性處理的部分以使剩余的間隙壁和所述隔離材料形成垂直剖面；

向所述待形成源極接觸和漏極接觸的區(qū)域填充導(dǎo)電材料以形成源極接觸和漏極接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，通過H₂或He等離子體處理實(shí)現(xiàn)所述間隙壁的改性處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述H₂或He等離子體處理垂直照射所述間隙壁來進(jìn)行所述改性處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，通過氫氟酸去除所述間隙壁經(jīng)過改性處理的部分。

5.一種采用如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的制作方法制作的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底至少包括存儲(chǔ)區(qū)，在所述存儲(chǔ)區(qū)的半導(dǎo)體襯底中形成有隔離結(jié)構(gòu)和被所述隔離結(jié)構(gòu)分割的有源區(qū)，在所述存儲(chǔ)區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成有柵極疊層以及包圍所述柵極疊層的層間介電層，在所述層間介電層中形成有源極接觸和漏極接觸，其中，所述漏極接觸具有垂直剖面。

6.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件。