[發(fā)明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610945550.X
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN107994064A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設計）人: 張超;周儒領;張慶勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/285
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底中形成隔離結構；

在所述半導體襯底上形成柵極結構；

在所述半導體襯底的部分表面上形成半導體接觸層，所述半導體接觸層覆蓋預定形成淺結源極和預定形成淺結漏極的區(qū)域，所述半導體接觸層中包括硅元素；

在所述柵極結構兩側的半導體襯底中形成所述淺結源極和所述淺結漏極；

進行金屬硅化物工藝，以將至少部分所述半導體接觸層轉變?yōu)榻饘俟杌飳印?/p>

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為高電阻材料，其中，所述半導體襯底的電阻值大于2KΩ。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述柵極結構之前，還包括進行離子注入，以在所述半導體襯底中形成用于調節(jié)閾值電壓的注入區(qū)的步驟。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導體接觸層的材料為多晶硅。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔離結構位于所述半導體襯底中的深度范圍為6000～8000埃。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔離結構的步驟包括以下過程：

在半導體襯底的表面上形成硬掩膜層，在所述硬掩膜層上形成圖案化的光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋有源區(qū)；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，依次蝕刻所述硬掩膜層和部分所述半導體襯底，以形成溝槽，并去除所述光刻膠層；

在所述溝槽中填充滿隔離材料，以形成所述隔離結構；

去除所述硬掩膜層。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述半導體接觸層的方法包括：

共形沉積半導體接觸層，以覆蓋所述半導體襯底的表面；

圖案化所述半導體接觸層，僅在預定形成淺結源極和預定形成淺結漏極的區(qū)域上形成所述半導體接觸層。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導體接觸層還進一步延伸到其外側的所述隔離結構的部分表面上。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

深溝槽隔離結構，形成在所述半導體襯底中；

柵極結構，形成在相鄰所述隔離結構之間的部分所述半導體襯底上；

淺結源極和淺結漏極，分別形成在所述柵極結構兩側的半導體襯底中；

金屬硅化物層，形成在所述半導體襯底的表面上，并分別覆蓋所述淺結源極和所述淺結漏極。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，覆蓋所述淺結源極的所述金屬硅化物層還進一步延伸到所述淺結源極外側的隔離結構的部分表面上，覆蓋所述淺結漏極的所述金屬硅化物層還進一步延伸到所述淺結漏極外側的隔離結構的部分表面上。

11.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底為高電阻材料，其中，所述半導體襯底的電阻值大于2KΩ。

12.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，在所述柵極結構下方的所述半導體襯底中還形成有靠近所述半導體襯底表面的注入區(qū)，所述注入區(qū)用于調節(jié)閾值電壓。

13.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述深溝槽隔離結構位于所述半導體襯底中的深度范圍為6000～8000埃。

14.一種電子裝置，其特征在于，其包括如權利要求9-13任一項所述的半導體器件。