[發明專利]透明導電層的制備方法

有效

• 申請號: 201610942312.3
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN108002364B
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 李東琦;魏洋;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: C01B32/159
• 分類號: C01B32/159;C01B32/168;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種透明導電層的制備方法，其包括以下步驟：提供一碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個碳納米管；提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層；將所述碳納米管膜設置在所述絕緣層上；將碳納米管膜放置在掃描電鏡下，調整掃描電鏡的加速電壓為5～20千伏，駐留時間為6～20微秒，放大倍數為1萬～10萬倍，采用掃描電鏡對所述碳納米管膜拍攝照片；獲得碳納米管膜的照片，照片中碳納米管分布在襯底上，比襯底顏色淺的碳納米管為金屬型碳納米管，比襯底顏色深的碳納米管為半導體型碳納米管；按照和照片相同的比例，在實物上相同的位置對半導體型的碳納米管進行標識，并除去半導體型的碳納米管。

技術領域

本發明涉及一種透明導電層的制備方法，尤其設置一種基于碳納米管的透明導電層的制備方法。

背景技術

碳納米管膜作為透明導電層，被越來越多的領域應用。現有技術中，碳納米管膜通過一定方法獲得之后，便直接拿來用作透明導電層。然而，由于碳納米管可以分為金屬型和半導體型兩種類型，半導體型的碳納米管導電性能差，因此，在采用碳納米管膜作為透明導電層時，碳納米管膜中的半導體型的碳納米管影響了透明導電層的導電性能。因此，采用傳統方法獲得的碳納米管透明導電膜的導電性能不好，需要進一步改善。

發明內容

有鑒于此，確有必要提供一種透明導電層的制備方法，該透明導電層的制備方法可以克服以上缺點。

一種透明導電層的制備方法，其包括以下步驟：提供一碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個碳納米管；提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層，將所述碳納米管膜設置在所述絕緣層上；將碳納米管膜放置在掃描電鏡下，調整掃描電鏡的加速電壓為5～20千伏，駐留時間為6～20微秒，放大倍數為1萬～10萬倍，采用掃描電鏡對所述碳納米管膜拍攝照片；獲得碳納米管膜的照片，照片中碳納米管分布在襯底上，比襯底顏色淺的碳納米管為金屬型碳納米管，比襯底顏色深的碳納米管為半導體型碳納米管；按照和照片相同的比例，在實物上相同的位置對半導體型的碳納米管進行標識，并除去半導體型的碳納米管。

相較于現有技術，本發明所提供的透明導電層的制備方法中，包括一除去半導體型碳納米管的步驟，使得透明導電層中的碳納米管均為金屬型碳納米管，因此，獲得的透明導電層的導電性能良好。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例提供的透明導電層的制備方法的流程示意圖。

圖2為本發明第一實施例提供的碳納米管類型的判斷方法所獲得的碳納米管的照片。

圖3為圖2的示意圖。

圖4為現有技術中，采用掃描電鏡獲得的碳納米管照片。

圖5為圖4的示意圖。

主要元件符號說明

無

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式

以下將結合附圖對本發明的提供的透明導電層的制備方法進一步的詳細說明。

請參閱圖1，本發明第一實施例提供透明導電層的制備方法，其包括以下步驟：

S1：提供一碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個碳納米管；

S2：提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層，將碳納米管膜設置于所述絕緣層上；

S3：將碳納米管膜放置在掃描電鏡下，調整掃描電鏡的加速電壓為5～20千伏，駐留時間為6～20微秒，放大倍數為1萬～10萬倍，采用掃描電鏡對所述碳納米管膜拍攝照片；

S4：獲得碳納米管膜的照片，照片中碳納米管分布在襯底上，比襯底顏色淺的碳納米管為金屬型碳納米管，比襯底顏色深的碳納米管為半導體型碳納米管；以及