[發明專利]透明導電層的制備方法

有效

• 申請號: 201610942312.3
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN108002364B
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 李東琦;魏洋;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: C01B32/159
• 分類號: C01B32/159;C01B32/168;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種透明導電層的制備方法，其包括以下步驟：

提供一碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個碳納米管；

提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層，將所述碳納米管膜設置在所述絕緣層上；

將碳納米管膜放置在掃描電鏡下，調整掃描電鏡的加速電壓為5～20千伏，駐留時間為6～20微秒，放大倍數為1萬～10萬倍，采用掃描電鏡對所述碳納米管膜拍攝照片；

獲得碳納米管膜的照片，照片中碳納米管分布在襯底上，比襯底顏色淺的碳納米管為金屬型碳納米管，比襯底顏色深的碳納米管為半導體型碳納米管；

按照和照片相同的比例，在實物上相同的位置對半導體型的碳納米管進行標識，并除去半導體型的碳納米管。

2.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述導電基底的材料為金屬、導電有機物或摻雜的導電材料。

3.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為氧化物或者高分子材料。

4.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為50-300納米。

5.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜包括多根碳納米管，該多根碳納米管包括金屬型碳納米管和半導體型碳納米管。

6.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜包括多根碳納米管，所述多根碳納管平行于絕緣層的表面。

7.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述掃描電鏡的加速電壓為15-20千伏。

8.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述駐留時間為10-20微秒。

9.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述按照和照片相同的比例，在實物上相同的位置對半導體型的碳納米管進行標識的步驟包括：在照片上建立一坐標系，并讀出半導體型碳納米管的具體坐標值；按照和照片相同的比例，在實體碳納米管膜上建立坐標系，根據半導體型碳納米管的坐標值標識出半導體型的碳納米管。

10.如權利要求1所述的透明導電層的制備方法，其特征在于，所述除去半導體型的碳納米管的步驟包括：用電子束曝光的方法，將該金屬型的碳納米管進行保護，將半導體型的碳納米管露出，采用等離子體刻蝕的方法將半導體型的碳納米管去除。