[發(fā)明專利]邏輯半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610939502.X | 申請日: | 2016-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN106876365B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R.阿茲馬特;S.威克;金秀賢;樸哲弘;林載炯 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 邏輯 半導(dǎo)體器件 | ||
一種邏輯半導(dǎo)體器件,包括:多個(gè)有源圖案,在水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此間隔開;隔離層,限定所述有源圖案;在有源圖案和隔離層上在垂直方向上延伸的多個(gè)柵極圖案,所述柵極圖案在水平方向上彼此間隔開;多個(gè)下配線,在柵極圖案上方在水平方向上延伸;多個(gè)上配線,在下配線上方在垂直方向上延伸;貫穿接觸,連接上配線中的至少一個(gè)上配線以及柵極圖案中的至少一個(gè)柵極圖案,貫穿接觸從上配線的底表面延伸到相對于有源圖案的下配線之一的底表面之下的位置。
技術(shù)領(lǐng)域
示例實(shí)施方式涉及邏輯半導(dǎo)體器件。更具體地,示例實(shí)施方式涉及包括多層配線的邏輯半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
在包括標(biāo)準(zhǔn)單元的邏輯半導(dǎo)體器件中,包括柵極圖案的邏輯晶體管可以形成在半導(dǎo)體基板上,配線可以布置在邏輯晶體管上方。隨著柵極圖案的臨界尺寸減小到納米尺度,配線的寬度和節(jié)距也可以減小。
隨著邏輯半導(dǎo)體器件的集成度增加,用于設(shè)計(jì)配線的工藝容限會減小,并且由于圖案化工藝的分辨率極限,可能不會容易地形成具有小于目標(biāo)值的尺寸的配線。
發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施方式提供一種具有改善的工作可靠性和集成度的邏輯半導(dǎo)體器件。
根據(jù)示例實(shí)施方式,提供一種邏輯半導(dǎo)體器件,可以包括:多個(gè)有源圖案,在水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此間隔開;隔離層,限定有源圖案;在有源圖案和隔離層上在垂直方向上延伸的多個(gè)柵極圖案,所述柵極圖案在水平方向上彼此間隔開;多個(gè)下配線,在柵極圖案上方在水平方向上延伸;多個(gè)上配線,在下配線上方在垂直方向上延伸;以及貫穿接觸,連接上配線中的至少一個(gè)上配線以及柵極圖案中的至少一個(gè)柵極圖案,貫穿接觸從上配線的底表面延伸到相對于有源圖案的下配線之一的底表面之下的位置。
在示例實(shí)施方式中,邏輯半導(dǎo)體器件可以還包括在柵極圖案上的柵極接觸。
在示例實(shí)施方式中,貫穿接觸可以直接接觸上配線的底表面以及柵極接觸的頂表面。
在示例實(shí)施方式中,邏輯半導(dǎo)體器件可以還包括電連接到有源圖案的鄰近于柵極圖案的上部分的有源接觸。
在示例實(shí)施方式中,相對于有源圖案的有源接觸及柵極接觸的頂表面可以彼此共面。
在示例實(shí)施方式中,有源接觸可以電連接到下配線之一。
在示例實(shí)施方式中,邏輯半導(dǎo)體器件可以還包括:連接有源接觸與下配線中的一個(gè)下配線的第一接觸,以及連接下配線中的至少一個(gè)下配線與上配線中的至少一個(gè)上配線的第二接觸。
在示例實(shí)施方式中,上配線的每個(gè)可以交疊柵極圖案的每個(gè)。
在示例實(shí)施方式中,下配線可以交疊有源圖案。
在示例實(shí)施方式中,下配線可以不交疊隔離層的在有源圖案之間的一部分。
根據(jù)示例實(shí)施方式,提供一種邏輯半導(dǎo)體器件,可以包括:多個(gè)有源圖案,在水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此間隔開;隔離層,限定有源圖案;在有源圖案和隔離層上在垂直方向上延伸的多個(gè)柵極圖案,所述柵極圖案在水平方向上彼此間隔開;多個(gè)下配線,在柵極圖案上方在水平方向上延伸;絕緣阻擋物,將下配線中的至少一個(gè)下配線劃分為多個(gè)段;和多個(gè)上配線,在下配線上方在垂直方向上延伸。
在示例實(shí)施方式中,邏輯半導(dǎo)體器件可以包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域。有源圖案可以設(shè)置在第一區(qū)域和第三區(qū)域中,隔離層的在有源圖案之間的一部分可以在第二區(qū)域中被暴露。下配線可以包括分別設(shè)置在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的第一下配線、第二下配線和第三下配線。
在示例實(shí)施方式中,第一下配線是多個(gè)第一下配線中的一個(gè),第三下配線是多個(gè)第三下配線中的一個(gè),多個(gè)第一下配線或者多個(gè)第三下配線可以分別設(shè)置在第一區(qū)域或者第三區(qū)域中。第二下配線可以包括在第二區(qū)域中的單個(gè)第二下配線。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社,未經(jīng)三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610939502.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





