[發(fā)明專(zhuān)利]用于量測(cè)機(jī)臺(tái)的自動(dòng)調(diào)校方法和系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610938604.X | 申請(qǐng)日: | 2016-10-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107978540B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阮炯明;張冬平 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/66;G01B11/02 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 高偉;卜璐璐 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 機(jī)臺(tái) 自動(dòng) 調(diào)校 方法 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)中的量測(cè)機(jī)臺(tái),具體而言涉及一種用于量測(cè)機(jī)臺(tái)的自動(dòng)調(diào)校方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體實(shí)際生產(chǎn)中會(huì)應(yīng)用到多種量測(cè)機(jī)臺(tái)來(lái)監(jiān)控生產(chǎn)線(xiàn)的工藝穩(wěn)定性,有利用光學(xué)方式測(cè)量的機(jī)臺(tái),也有采用接觸式的方式量測(cè)的機(jī)臺(tái)。盡管量測(cè)機(jī)臺(tái)種類(lèi)多種多樣,但在實(shí)際量測(cè)應(yīng)用過(guò)程中,量測(cè)的穩(wěn)定性是衡量影響半導(dǎo)體量測(cè)機(jī)臺(tái)的關(guān)鍵指標(biāo)之一。
不管是采用光學(xué)非接觸式的還是接觸式的量測(cè)方式,都是通過(guò)對(duì)待測(cè)晶圓不同位置進(jìn)行膜厚/線(xiàn)寬/深度等數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣來(lái)反映制程主機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性,但要做到準(zhǔn)確的量測(cè),需要確保放置待測(cè)晶圓的工作平臺(tái)(Stage)的位置精度。
由于目前主流量測(cè)機(jī)臺(tái)都是采用先做兩個(gè)或兩個(gè)以上的位置對(duì)準(zhǔn),再進(jìn)行程式采樣點(diǎn)的量測(cè),所以工作平臺(tái)的位置精度越高,其位置對(duì)準(zhǔn)精度就越高,量測(cè)程式的穩(wěn)定性也就越好,而一旦工作平臺(tái)位置偏移,就容易導(dǎo)致程式難以正確量測(cè),或者不能量測(cè)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于量測(cè)機(jī)臺(tái)的自動(dòng)調(diào)校方法,所述自動(dòng)調(diào)校方法包括:檢測(cè)量測(cè)機(jī)臺(tái)的工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移;如果所述工作平臺(tái)的位置發(fā)生偏移,則計(jì)算所述工作平臺(tái)的位置偏移量;以及基于所述位置偏移量修正所述量測(cè)機(jī)臺(tái)的量測(cè)程式并調(diào)校所述工作平臺(tái)的位置。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述檢測(cè)量測(cè)機(jī)臺(tái)的工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移的步驟進(jìn)一步包括:當(dāng)量測(cè)機(jī)臺(tái)的工作平臺(tái)將晶圓運(yùn)載到初始固定位置時(shí),控制在所述量測(cè)機(jī)臺(tái)上方所加裝的若干個(gè)鏡頭發(fā)射光源;基于所述鏡頭所接收的所述工作平臺(tái)對(duì)所述光源的反射,計(jì)算所述工作平臺(tái)對(duì)每個(gè)鏡頭的反射區(qū)域、并基于所述反射區(qū)域計(jì)算所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置;以及將所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置與其初始中心位置進(jìn)行比較,以確定所述工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述基于所述反射區(qū)域計(jì)算所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置的步驟進(jìn)一步包括:對(duì)每個(gè)反射區(qū)域的邊界點(diǎn)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣;基于所述邊界點(diǎn)數(shù)據(jù)計(jì)算每個(gè)反射區(qū)域所對(duì)應(yīng)的圓心位置;以及對(duì)各反射區(qū)域所對(duì)應(yīng)的圓心位置求平均值,以獲得所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述計(jì)算所述工作平臺(tái)的位置偏移量的步驟包括:基于所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置與其初始中心位置計(jì)算所述工作平臺(tái)的位置偏移量。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述在所述量測(cè)機(jī)臺(tái)上方所加裝的若干個(gè)鏡頭包括以120度夾角安裝的三個(gè)鏡頭。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述檢測(cè)量測(cè)機(jī)臺(tái)的工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移的步驟進(jìn)一步包括:基于測(cè)距儀所測(cè)量的調(diào)校板距測(cè)距儀的距離是否等于它們之間的初始距離來(lái)確定所述工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移,其中所述調(diào)校板安裝在所述工作平臺(tái)的下方,所述測(cè)距儀安裝在所述工作平臺(tái)旁。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述調(diào)校板的數(shù)目為兩個(gè),其分別與組成所述工作機(jī)臺(tái)的平面的兩個(gè)方向平行,并且所述測(cè)距儀的數(shù)目為兩個(gè),其分別與所述兩個(gè)調(diào)校板平行。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述計(jì)算所述工作平臺(tái)的位置偏移量的步驟包括:基于所述測(cè)距儀所測(cè)量的調(diào)校板距測(cè)距儀的距離與它們之間的初始距離,計(jì)算所述工作平臺(tái)的位置偏移量。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)距儀為紅外線(xiàn)鏡頭。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述自動(dòng)調(diào)校方法還包括:確定所述位置偏移量是否超過(guò)預(yù)設(shè)的最大偏移量;以及如果所述位置偏移量超過(guò)所述預(yù)設(shè)的最大偏移量,則發(fā)出警報(bào)提示設(shè)備工程師進(jìn)行人工調(diào)校。
另一方面,本發(fā)明還提供一種用于量測(cè)機(jī)臺(tái)的自動(dòng)調(diào)校系統(tǒng),所述自動(dòng)調(diào)校系統(tǒng)包括:檢測(cè)模塊,用于檢測(cè)量測(cè)機(jī)臺(tái)的工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移;計(jì)算模塊,用于計(jì)算所述工作平臺(tái)的位置偏移量;以及修正模塊,用于基于所述位置偏移量修正所述量測(cè)機(jī)臺(tái)的量測(cè)程式并調(diào)校所述工作平臺(tái)的位置。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述檢測(cè)模塊進(jìn)一步包括:控制單元,用于在量測(cè)機(jī)臺(tái)的工作平臺(tái)將晶圓運(yùn)載到初始固定位置時(shí)控制在所述量測(cè)機(jī)臺(tái)上方所加裝的若干個(gè)鏡頭發(fā)射光源;計(jì)算單元,用于基于所述鏡頭所接收的所述工作平臺(tái)對(duì)所述光源的反射,計(jì)算所述工作平臺(tái)對(duì)每個(gè)鏡頭的反射區(qū)域、并基于所述反射區(qū)域計(jì)算所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置;以及比較單元,用于將所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置與其初始中心位置進(jìn)行比較,以確定所述工作平臺(tái)的位置是否發(fā)生偏移。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述計(jì)算單元進(jìn)一步用于:對(duì)每個(gè)反射區(qū)域的邊界點(diǎn)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣;基于所述邊界點(diǎn)數(shù)據(jù)計(jì)算每個(gè)反射區(qū)域所對(duì)應(yīng)的圓心位置;以及對(duì)各反射區(qū)域所對(duì)應(yīng)的圓心位置求平均值,以獲得所述工作平臺(tái)的實(shí)際中心位置。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司,未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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