[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體組件及具有該半導(dǎo)體組件的發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610937411.2
• 申請(qǐng)日: 2013-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN107039482B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃知澍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L27/06;H01L29/872;H01L33/00;H05B45/30
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件及具有該半導(dǎo)體組件的發(fā)光裝置，半導(dǎo)體組件包括一基板；一第1晶體管，形成于所述基板上，所述第1晶體管為常開型晶體管，所述第1晶體管包括一第1第1半導(dǎo)體層；一第2半導(dǎo)體層，形成于所述第1第1半導(dǎo)體層上；一第3半導(dǎo)體層，形成于所述第2半導(dǎo)體層上；一閘極電極，一汲極電極，及一源極電極，形成于所述第3半導(dǎo)體層上；及一惠斯登電橋整流電路，形成于所述基板上，所述惠斯登電橋整流電路包括：一第1整流二極管；一第2整流二極管，電性連接于所述第1整流二極管；一第3整流二極管，電性連接于所述第2整流二極管；及一第4整流二極管，電性連接于所述第3整流二極管。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，尤其涉及一種半導(dǎo)體組件及具有該半導(dǎo)體組件的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode；LED)是利用半導(dǎo)體外延技術(shù)制成的一種二極管，其在順向偏壓下，可使電流通過(guò)其內(nèi)部，從而使得發(fā)光二極管內(nèi)部的電子與空穴復(fù)合而發(fā)光。發(fā)光二極管在常溫下，具有壽命長(zhǎng)、省電、污染低、輕薄短小、不易破損、開關(guān)速度快及可靠性高等特點(diǎn)。因此，越來(lái)越多的發(fā)光裝置利用發(fā)光二極管做為發(fā)光組件。

不過(guò)，發(fā)光二極管的發(fā)光效率會(huì)受溫度的影響而下降，并且在高溫時(shí)，在同樣的電壓值下，使得更多的電流通過(guò)發(fā)光二極管時(shí)，產(chǎn)生更高的熱。這樣惡性循環(huán)，不但耗電，還使得發(fā)光二極管的壽命縮短。因此，一般利用發(fā)光二極管的發(fā)光裝置，必須花費(fèi)相當(dāng)多的額外成本在散熱上。

半導(dǎo)體外延技術(shù)亦可制作場(chǎng)效晶體管。美國(guó)專利第4,777,516號(hào)揭示先后形成于同一個(gè)基板上的三族砷化物發(fā)光二極管及場(chǎng)效晶體管，其中場(chǎng)效晶體管由一砷化鎵層施以硅離子布植而形成；美國(guó)專利第7,432,538號(hào)、美國(guó)專利第7,750,351號(hào)及美國(guó)專利第7,981,744號(hào)則揭示形成于一個(gè)基板上的三族氮化物場(chǎng)效晶體管。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體組件。

所述半導(dǎo)體組件包括：

一基板；

一第1晶體管，形成于所述基板上，所述第1晶體管為常開型晶體管，所述第1晶體管包括：

一第1第1半導(dǎo)體層；

一第2半導(dǎo)體層，形成于所述第1第1半導(dǎo)體層上；

一第3半導(dǎo)體層，形成于所述第2半導(dǎo)體層上；

一閘極電極，一汲極電極，及一源極電極，形成于所述第3半導(dǎo)體層上；及

一惠斯登電橋整流電路，形成于所述基板上，所述惠斯登電橋整流電路包括：

一第1整流二極管；

一第2整流二極管，電性連接于所述第1整流二極管；

一第3整流二極管，電性連接于所述第2整流二極管；及

一第4整流二極管，電性連接于所述第3整流二極管；

一第1發(fā)光二極管，形成于所述基板上且包括一第2第1半導(dǎo)體層；及

一電路圖案，所述電路圖案將所述第1晶體管電性連接為一第1電流穩(wěn)定單元，并將所述第1電流穩(wěn)定單元電性耦接于所述第1發(fā)光二極管。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第1發(fā)光二極管更包括：

一第2第1半導(dǎo)體層；

一主動(dòng)層，形成于所述第2第1半導(dǎo)體層上；及

一第4半導(dǎo)體層，形成于所述主動(dòng)層上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述閘極電極包括鎢、鉑、金、鎳、鋁所組成的群組中的任一或組合，且/或所述源極電極與所述汲極電極包括鈦、鋁、鎳、金、鉻所組成的群組中的任一或組合。