[發明專利]一種半導體組件及具有該半導體組件的發光裝置

有效

• 申請號: 201610937411.2
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN107039482B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 黃知澍
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/06;H01L29/872;H01L33/00;H05B45/30
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種半導體組件，其特征在于，包括：

一基板；

一第1晶體管，形成于所述基板上，所述第1晶體管為常開型晶體管，所述第1晶體管包括：

一第1第1半導體層；

一第2半導體層，形成于所述第1第1半導體層上；

一第3半導體層，形成于所述第2半導體層上；

一閘極電極，一汲極電極，及一源極電極，形成于所述第3半導體層上；及

一惠斯登電橋整流電路，形成于所述基板上，所述惠斯登電橋整流電路包括：

一第1整流二極管；

一第2整流二極管，電性連接于所述第1整流二極管；

一第3整流二極管，電性連接于所述第2整流二極管；

一第4整流二極管，電性連接于所述第3整流二極管；

一第1發光二極管，形成于所述基板上且包括一第2第1半導體層；及

一電路圖案，所述電路圖案將所述第1晶體管電性連接為一第1電流穩定單元，并將所述第1電流穩定單元電性耦接于所述第1發光二極管。

2.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述第1發光二極管更包括：

一主動層，形成于所述第2第1半導體層上；及

一第4半導體層，形成于所述主動層上。

3.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述閘極電極包括鎢、鉑、金、鎳、鋁所組成的群組中的任一或組合，且/或所述源極電極與所述汲極電極包括鈦、鋁、鎳、金、鉻所組成的群組中的任一或組合。

4.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述電路圖案形成于所述基板上。

5.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述第1整流二極管、第2整流二極管、第3整流二極管、第4整流二極管為蕭基二極管，且形成于所述基板上。

6.如權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述第1整流二極管、第2整流二極管、第3整流二極管、第4整流二極管為發光二極管，且形成于所述基板上。

7.一種發光裝置，其特征在于，包括：

如權利要求1所述的半導體組件；及

一電源，所述電源通過所述電路圖案電性連接所述第1發光二極管與所述第1電流穩定單元。

8.如權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述第1晶體管的閘極電極耦接所述第1晶體管的源極電極。

9.如權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述第1電流穩定單元還包括一蕭基二極管，所述蕭基二極管電性連接于所述第1晶體管與所述電源之間，所述蕭基二極管的陽極電極耦接所述第1晶體管的源極電極。

10.如權利要求9所述的發光裝置，其特征在于，所述蕭基二極管形成于所述基板上。

11.如權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述第1電流穩定單元還包括一第2晶體管，所述第2晶體管電性連接于所述第1晶體管與所述電源之間，所述第2晶體管的汲極電極耦接所述第1晶體管的源極電極，所述第2晶體管的閘極電極耦接所述第2晶體管的汲極電極，且所述第2晶體管的源極電極耦接所述電源。

12.如權利要求11所述的發光裝置，其特征在于，所述第2晶體管的結構與所述第1晶體管相同，且所述第2晶體管形成于所述基板上。

13.如權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述第1整流二極管電性連接于所述電源的第1端與所述惠斯登電橋整流電路的第1輸出端之間，且所述第1整流二極管的陽極電極耦接所述電源的第1端；所述第2整流二極管電性連接于所述電源的第2端與所述惠斯登電橋整流電路的第1輸出端之間，且所述第2整流二極管的陽極電極耦接所述電源的第2端；所述第3整流二極管電性連接于所述惠斯登電橋整流電路的第2輸出端與所述電源的第2端之間，且所述第3整流二極管的陽極電極耦接所述惠斯登電橋整流電路的第2輸出端；及所述第4整流二極管電性連接于所述惠斯登電橋整流電路的第2輸出端與所述電源的第1端之間，且所述第4整流二極管的陽極電極耦接所述惠斯登電橋整流電路的第2輸出端，其中所述第1整流二極管、所述第2整流二極管、所述第3整流二極管及所述第4整流二極管為發光二極管或蕭基二極管。