[發明專利]封裝結構

在審

• 申請號: 201610929028.2
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN107342278A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 曹智強;林修任;林俊成;林志偉;鄭明達;謝靜華;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明實施例是有關于一種封裝結構。

背景技術

在半導體工業的領域中，本同的電子部件(例如晶體管、二極管、電阻器及電容器等)的集成密度，都在以不斷減少的最小特征尺寸來改善，借此容許在特定范圍內可以集成更多的部件。在一些應用上，這些較小的電子部件配備有較小的封裝。一些半導體較小的封裝款式包括方形扁平式封裝(quad flat pack；QFP)、插針網格陣列(pin grid array；PGA)、球柵陣列封裝(ball grid array；BGA)、覆晶(flip chips；FC)、三維晶片(three dimensional integrated circuits；3DICs)、晶圓級封裝(wafer level packages；WLPs)、連封裝(bump-on-trace；BOT)及疊合封裝(package on package；PoP)結構。

發明內容

根據本揭露多個實施例，一種封裝結構包含模制材料、至少一通孔、至少一導電體、至少一虛設結構與一填充材料。通孔延伸穿過模制材料。導電體位于通孔中。虛設結構位于模制材料，并包含電介質材料。填充材料至少部分位于導電體與虛設結構之間。

附圖說明

當結合所附附圖閱讀時，以下詳細描述將較容易理解本揭露的態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各特征并非按比例繪制。事實上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。

圖1～20為繪示根據本揭露多個實施例的制造封裝結構的中間階段的剖面示意圖；

圖21為繪示根據本揭露其他多個實施例的封裝結構的示意圖；

圖22為繪示根據本揭露其他多個實施例的封裝結構的示意圖；

圖23為繪示根據本揭露其他多個實施例的封裝結構的示意圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供許多不同實施例或實例，以便實施所提供標的的不同特征。下文描述組件及排列的特定實例以簡化本揭露。當然，該等實例僅為示例且并不意欲為限制性。舉例來說，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不處于直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各實例中重復元件符號及/或字母。此重復是出于簡明性及清晰的目的，且本身并不指示所論述的各實施例及/或配置之間的關系。

進一步地，為了便于描述，本文可使用空間相對性術語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所繪示一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處于其他定向)，因此可同樣解讀本文所使用的空間相對性描述詞。

請參照圖1～20，其為繪示根據本揭露多個實施例的制造封裝結構的中間階段的剖面示意圖。如圖1所示，粘著層A形成于載板C上。載板C可為空白的玻璃載板、空白的陶瓷載板或類似的載板。粘著層A可能以紫外線(Ultra-Violet；UV)膠、光熱轉換(light-to-heat conversion；LTHC)膠或類似的粘著膠所形成，雖然亦可使用其他類型的粘著膠。

請參照圖2。緩沖層110形成于粘著層A上。緩沖層110為介電層，其可能是聚合物層。聚合物層可能包括，舉例而言，聚酰亞胺(polyimide)、聚苯并(polybenzoxazole；PBO)、苯并環丁烯(benzocyclobutene；BCB)、環氧樹脂膜(ajinomoto buildup film；ABF)或抗焊膜(solder resist film；SR)等。緩沖層110為實質上平坦的階層，并具有實質上均勻的厚度，其中厚度可能實質上大于2微米，或是范圍可能實質上在2微米至40微米之間。在一些實施例中，緩沖層110的頂表面及底表面均實質上平坦。

舉例而言，晶種層123通過物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)或金屬箔層壓形成于緩沖層110上。晶種層123可能包括銅、銅合金、鋁、鈦、鈦合金或以上的任意組合。在一些實施例中，晶種層123包括鈦層，以及覆蓋于鈦層上的銅層。在其他的實施例中，晶種層123為銅層。

請參照圖3，光阻劑P被應用于晶種層123上并且被圖案化。因此，光阻劑P上形成開口O1。通過開口O1，部分的晶種層123被暴露。