[發(fā)明專利]具有高溫測(cè)試功能的測(cè)試座在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610925765.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107976561A | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何文仁;侯瑞毅;蔡進(jìn)傳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R1/04 | 分類號(hào): | G01R1/04;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11228 | 代理人: | 毛廣杰 |
| 地址: | 美國(guó)加州9505*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 高溫 測(cè)試 功能 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一半導(dǎo)體組件的測(cè)試座,特別涉及一種具有高溫測(cè)試功能的測(cè)試座。
背景技術(shù)
隨著時(shí)代的進(jìn)步,人類對(duì)科技產(chǎn)品的需求已越來(lái)越高,在產(chǎn)品保持輕薄短小的原則下,功能需求卻只增不減,在對(duì)于功能增強(qiáng)但體積縮小的情形下,電子電路已逐漸走向積體化,在制作有著強(qiáng)大功能的芯片時(shí),所需的制作成本也隨之提高,對(duì)于這些昂貴的芯片而言,品質(zhì)管制的要求也必須越來(lái)越高。
影像感測(cè)芯片,例如互補(bǔ)式金屬氧化層半導(dǎo)體影像感測(cè)芯片(CMOS image sensor)或電荷耦合組件(CCD)等,在經(jīng)過(guò)封裝之后,仍須進(jìn)行最終測(cè)試。
隨著數(shù)位相機(jī)、行動(dòng)電話、平板電腦、筆記型電腦、車用攝像頭以及各式監(jiān)視器等大量普及,造就了攝像裝置龐大的需求規(guī)模,也逐步地提升影像感測(cè)器測(cè)試領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展。
在準(zhǔn)備出廠的影像感測(cè)芯片中,都一定要經(jīng)過(guò)產(chǎn)品的檢測(cè)。傳統(tǒng)方法上,為了測(cè)試這些精密的影像感測(cè)芯片組件,待測(cè)芯片將焊接于測(cè)試電路板之上。然而,待測(cè)芯片焊接于測(cè)試電路板之上,測(cè)試完成之后難以取下,易使該待測(cè)芯片變成耗材,產(chǎn)生多余的成本。此外,待測(cè)芯片于焊接時(shí),常造成接腳折損,亦造成不必要的浪費(fèi)。
另一方面,封裝完成的積體電路必須作電性測(cè)試,方可確保芯片的品質(zhì)。以半導(dǎo)體封裝廠來(lái)說(shuō),由于其生產(chǎn)量大,必須使用能快速測(cè)試的芯片測(cè)試系統(tǒng)。對(duì)于后續(xù)下游的電器制造商來(lái)說(shuō),由于芯片的使用數(shù)量相對(duì)來(lái)說(shuō)明顯較少,在組裝前仍然必須先作測(cè)試以將可能的不良品篩選出來(lái),借以降低成品或制程中的半成品的不合格率,而可降低整體的制造成本。
此外,一般傳統(tǒng)的半導(dǎo)體組件多芯片測(cè)試座配備有加熱裝置,以使得待測(cè)芯片可以于大約100℃的高溫之中來(lái)進(jìn)行測(cè)試。意即,測(cè)試座結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)適用于溫度100℃的測(cè)試環(huán)境。然而,當(dāng)目標(biāo)測(cè)試溫度提高到比100℃的溫度更高時(shí),則傳統(tǒng)的多芯片測(cè)試座的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)無(wú)法達(dá)到所設(shè)定的目標(biāo)溫度,如此即無(wú)法達(dá)到更高溫度的芯片測(cè)試的目的。這是由于傳統(tǒng)的多芯片測(cè)試座結(jié)構(gòu)中,其金屬測(cè)試座框架(metal socket frame)具有較高的熱傳導(dǎo)率(例如:鋁的熱傳導(dǎo)率為237 Wm-1K-1)與較大的體積(例如:0.0327m3)。因此,由于金屬測(cè)試座框架整體均為金屬材質(zhì),其熱傳導(dǎo)率高且體積大而散熱快,所以加熱效能不佳、溫度上升非常慢并且不穩(wěn)定,熱能散失嚴(yán)重而較難達(dá)到高溫環(huán)境。
上述傳統(tǒng)的多芯片測(cè)試座結(jié)構(gòu)具有加熱效能不佳與散熱嚴(yán)重而無(wú)法達(dá)到更高測(cè)試溫度以及溫度不穩(wěn)定的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于測(cè)試影像感測(cè)芯片的具有高溫測(cè)試功能的測(cè)試座。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明提供一種具有高溫測(cè)試功能的測(cè)試座,包括:一測(cè)試座框架,為具有低熱傳導(dǎo)率的塑膠材料所形成;一測(cè)試座框罩,為具有高熱傳導(dǎo)率的金屬材料所形成,配置于測(cè)試座框架之下;至少一浮置板,配置于測(cè)試座框罩之中,多個(gè)探針配置于至少一浮置板之中;至少一加熱裝置,配置于測(cè)試座框罩之中;以及至少一探測(cè)針座,用以容納該多個(gè)探針穿過(guò)其中。
其中塑膠材料為聚醚酰亞胺。其中金屬材料為鋁。
其中測(cè)試座框罩上設(shè)有一容置空間使得至少一浮置板配置于其中。
其中至少一浮置板的材料為鋁。
至少一探測(cè)針座包括一探測(cè)針上座與一探測(cè)針底座,其中探測(cè)針上座與探測(cè)針底座上分別設(shè)有多個(gè)探針穿孔以使得該多個(gè)探針穿過(guò)該多個(gè)探針穿孔。其中探測(cè)針上座與探測(cè)針底座的材料為聚醚酰亞胺。
其中至少一加熱裝置為一溫度過(guò)熱保護(hù)裝置。其中該測(cè)試座框架上設(shè)有一開口使得至少一浮置板裸露于其中。其中測(cè)試座框架整體包覆測(cè)試座框罩。
本發(fā)明提供一種具有高溫測(cè)試功能的測(cè)試座,包含:一上蓋構(gòu)件,包括一上蓋框架、至少一透鏡架與至少一工作壓件,其中至少一透鏡架與至少一工作壓件配置于上蓋框架之中;以及一測(cè)試座構(gòu)件,用以樞接上蓋構(gòu)件;其中測(cè)試座構(gòu)件包括一測(cè)試座框架、一測(cè)試座框罩、至少一浮置板、至少一加熱裝置、一溫度過(guò)熱保護(hù)裝置與至少一探測(cè)針座;其中測(cè)試座框架,為具有低熱傳導(dǎo)率的塑膠材料所形成;其中測(cè)試座框罩,為具有高熱傳導(dǎo)率的金屬材料所形成,配置于測(cè)試座框架之下;其中至少一浮置板,配置于測(cè)試座框罩之中,多個(gè)探針配置于至少一浮置板之中;其中至少一加熱裝置與溫度過(guò)熱保護(hù)裝置,配置于測(cè)試座框罩之中;以及其中至少一探測(cè)針座,用以容納該多個(gè)探針穿過(guò)其中。
其中上蓋構(gòu)件還包括一上蓋,樞接上蓋框架。
附圖說(shuō)明
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- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R1-00 包含在G01R 5/00至G01R 13/00和G01R 31/00組中的各類儀器或裝置的零部件
G01R1-02 .一般結(jié)構(gòu)零部件
G01R1-20 .電測(cè)量?jī)x器中所用的基本電氣元件的改進(jìn);這些元件和這類儀器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-28 .在測(cè)量?jī)x器中提供基準(zhǔn)值的設(shè)備,例如提供標(biāo)準(zhǔn)電壓、標(biāo)準(zhǔn)波形
G01R1-30 .電測(cè)量?jī)x器與基本電子線路的結(jié)構(gòu)組合,例如與放大器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-36 .電測(cè)量?jī)x器的過(guò)負(fù)載保護(hù)裝置或電路
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
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