[發(fā)明專利]向有機(jī)發(fā)光二極管沉積鈍化層的直列式原子層沉積設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610924720.6
• 申請(qǐng)日: 2016-10-24
• 公開（公告）號(hào): CN107916413A
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸根魯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奈恩泰克有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 王麗軍

1.一種向OLED基板沉積鈍化層的直列式原子層沉積設(shè)備，所述設(shè)備包括：

適于在其中形成真空狀態(tài)的真空室；

水平方向上的基板移動(dòng)件，其被設(shè)置在真空室的下側(cè)用于將OLED基板從真空室的一側(cè)水平移動(dòng)到真空室的另一側(cè)；和

原子層沉積件，其設(shè)置在真空室的上側(cè)，用于借助于原子層沉積向正在被基板移動(dòng)件水平移動(dòng)的OLED基板沉積鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，所述原子層沉積件被配置為具有彼此間隔開一給定距離的多個(gè)線源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，每個(gè)線源包括：

豎立部，其被設(shè)置為在其中心處豎立放置以向下噴射前驅(qū)體；

第一等離子噴嘴，其被以朝向豎立部?jī)A斜一給定角度的方式設(shè)置在豎立部的左側(cè)，并且適于通過利用從外面供應(yīng)的電源將過程氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子以及向下噴射等離子；和

第二等離子噴嘴，其被以朝向豎立部?jī)A斜一給定角度的方式設(shè)置在豎立部的右側(cè)，并且適于通過利用從外面供應(yīng)的電源將過程氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子以及向下噴射等離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，所述第一等離子噴嘴包括：

第一外殼；

耦合到第一外殼的底側(cè)的第一隔離體；

耦合到第一隔離體的底側(cè)的第一電極；

在第一電極底側(cè)的兩側(cè)上以相互面對(duì)的方式彼此間隔開的一對(duì)第一側(cè)磁體安裝部分；

第一中心磁體安裝部分，其設(shè)置在第一電極的底側(cè)的中心，用于將由第一側(cè)磁體安裝部分形成的空間分成兩個(gè)部分；

第一側(cè)磁體，其設(shè)置在第一側(cè)磁體安裝部分上；

第一中心磁體，其設(shè)置在第一中心磁體安裝部分上；和

第一過程氣體供應(yīng)源，其設(shè)置在第一電極的底側(cè)，用于向由第一側(cè)磁體安裝部分和第一中心磁體安裝部分形成的空間供應(yīng)過程氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，所述第一等離子噴嘴還包括：

第一電極冷卻器，其設(shè)置在第一電極上，用于借助于冷卻劑的循環(huán)來冷卻第一電極；和

第一磁體冷卻器，其設(shè)置在第一側(cè)磁體安裝部分的底側(cè)，用于借助于冷卻劑的循環(huán)來冷卻第一側(cè)磁體安裝部分和第一側(cè)磁體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，所述第一側(cè)磁體以允許N極部分和S極部分在上下方上彼此間隔開的方式設(shè)置在第一側(cè)磁體安裝部分的內(nèi)表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，所述第一中心磁體以允許N極部分和S極部分彼此相鄰的方式設(shè)置在第一中心磁體安裝部分上。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，所述第二等離子噴嘴包括：

第二外殼；

第二隔離體，其被耦合到第二外殼的底側(cè)；

第二電極，其被耦合到第二隔離體的底側(cè)；

在第二電極的底側(cè)的兩側(cè)上以相互面對(duì)的方式彼此間隔開的一對(duì)第二側(cè)磁體安裝部分；

第二中心磁體安裝部分，其設(shè)置在第二電極的底側(cè)的中心，用于將由第二側(cè)磁體安裝部分形成的空間分成兩個(gè)部分；

設(shè)置在第二側(cè)磁體安裝部分上的第二側(cè)磁體；

設(shè)置在第二中心磁體安裝部分上的第二中心磁體；和

第二過程氣體供應(yīng)源，其設(shè)置在第二電極的底側(cè)上，用于向由第二側(cè)磁體安裝部分和第二中心磁體安裝部分形成的空間供應(yīng)過程氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直列式原子層沉積設(shè)備，其中，雙隔壁設(shè)置在相鄰的線源之間用于相互隔離相鄰的線源之間的空間，從而將由雙隔壁形成的屏蔽空間保持在比安裝著線源的空間中的壓力低的壓力。