[發明專利]向有機發光二極管沉積鈍化層的直列式原子層沉積設備

在審

• 申請號: 201610924720.6
• 申請日: 2016-10-24
• 公開（公告）號: CN107916413A
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 樸根魯
• 申請（專利權）人: 奈恩泰克有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 王麗軍

技術領域

本發明涉及一種直列式原子層沉積設備，更具體涉及一種向有機發光二極管(下文中，被稱為OLED)基板沉積鈍化層的直列式原子層沉積設備，其中當OLED基板在相互平行地設置著多個線源的真空室中以直線方式水平移動時，執行沉積過程，以允許無極薄膜作為鈍化層被沉積在速度大于3nm/min的OLED基板上。

背景技術

OLED具有高可再現的色度范圍、大觀察角度、輕薄和明亮的特征，使其日益增加地用于移動式設備、大尺寸電視、柔性裝置等。順便一提的是，與LCD不同，OLED是有機薄膜并且因此對大水或氧起反應，因而削弱了其耐用性。因此，需要鈍化層或封裝層來保護OLED。

已經公開了一種傳統技術，其中，玻璃基板或膜被用作鈍化層或封裝層，以將OLED用作柔性顯示器，鈍化層或封裝層應具有薄層的形狀。當前，通過多次層合金屬氧化物和有機層而形成的薄層已經被建議作為具有薄層形狀的鈍化層或封裝層。

在這種情況下，金屬氧化物無機層通過利用噴濺、PECVD、ALD(原子層沉積)等沉積類似Al₂O₃的金屬氧化物而形成，而金屬氧化物有機層利用沉積設備、噴墨設備等形成。

這時，決定可滲透性的無機層利用具有極好薄層特征和高階梯覆蓋的ALD形成，然而，雖然具有極好的薄層特征，但沉積速度相對較低，因而不希望地導致低生產率。

發明內容

【技術問題】

相應地，本發明試圖解決上述問題，本發明的目的是提供用于向OLED基板沉積鈍化層的直列式原子層沉積設備，其中當OLED基板在相互平行地設置著多個線源的真空室中以直線方式水平移動時，執行沉積過程，以允許無極薄膜作為鈍化層被沉積在速度大于3nm/min的OLED基板上。

【技術方案】

為了實現上述目的，根據本發明，提供了一種向OLED沉積鈍化層的直列式原子層沉積設備，所述設備包括：適于在其中形成真空狀態的真空室；水平方向上的基板移動件，其被設置在真空室的下側用于將OLED基板從真空室的一側水平移動到真空室的另一側；和原子層沉積件，其設置在真空室的上側，用于借助于原子層沉積向正在被基板移動件水平移動的OLED基板沉積鈍化層。

根據本發明，希望的是，所述原子層沉積件被配置為具有彼此間隔開一給定距離的多個線源。

根據本發明，希望的是，每個線源包括：豎立部，其被設置為在其中心處豎立放置以向下噴射前驅體；第一等離子噴嘴，其被以朝向豎立部傾斜一給定角度的方式設置在豎立部的左側，并且適于通過利用從外面供應的電源將過程氣體轉變為等離子以及向下噴射等離子；和第二等離子噴嘴，其被以朝向豎立部傾斜一給定角度的方式設置在豎立部的右側，并且適于通過利用從外面供應的電源將過程氣體轉變為等離子以及向下噴射等離子。

根據本發明，希望的是，所述第一等離子噴嘴包括：第一外殼；耦合到第一外殼的底側的第一隔離體；耦合到第一隔離體的底側的第一電極；在第一電極底側的兩側上以相互面對的方式彼此間隔開的一對第一側磁體安裝部分；第一中心磁體安裝部分，其設置在第一電極的底側的中心，用于將由第一側磁體安裝部分形成的空間分成兩個部分；第一側磁體，其設置在第一側磁體安裝部分上；第一中心磁體，其設置在第一中心磁體安裝部分上；和第一過程氣體供應源，其設置在第一電極的底側，用于向由第一側磁體安裝部分和第一中心磁體安裝部分形成的空間供應過程氣體。

根據本發明，希望的是，所述第一等離子噴嘴還包括：第一電極冷卻器，其設置在第一電極上，用于借助于冷卻劑的循環來冷卻第一電極；和第一磁體冷卻器，其設置在第一側磁體安裝部分的底側，用于借助于冷卻劑的循環來冷卻第一側磁體安裝部分和第一側磁體。

根據本發明，希望的是，所述第一側磁體以允許N極部分和S極部分在上下方上彼此間隔開的方式設置在第一側磁體安裝部分的內表面上。

根據本發明，希望的是，所述第一中心磁體以允許N極部分和S極部分彼此相鄰的方式設置在第一中心磁體安裝部分上。