[發明專利]聲波濾波器裝置、制造聲波濾波器裝置的封裝件和方法

有效

• 申請號: 201610920628.2
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN107040231B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 康崙盛;姜珌中;金光洙;南智惠;梁正承;李楨日;宋鐘亨
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/10;H03H9/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 馬翠平;劉奕晴

提供一種聲波濾波器裝置、制造聲波濾波器裝置的封裝件和方法。聲波濾波器裝置包括：基體，具有設置在基體上的聲波濾波器部件和鍵合件，鍵合件圍繞聲波濾波器部件；蓋，具有設置在蓋上的鍵合對應件，鍵合對應件鍵合到基體的鍵合件，鍵合件包括包含金的第一鍵合層，鍵合對應件包括鍵合到第一鍵合層并且包含錫的第二鍵合層。

本申請要求于2016年2月4日提交到韓國知識產權局的第10-2016-0014261號韓國專利申請的優先權和權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。

技術領域

以下描述涉及一種聲波濾波器裝置和用于制造聲波濾波器裝置的封裝件。

背景技術

近來，使用體聲波(BAW)濾波器的裝置已在實現無線通信裝置和系統的小型化、多功能化和性能改進中起到了非常重要的作用。為了提供BAW濾波器裝置的最佳的性能特性，需要能夠在真空狀態下保持BAW濾波器可靠密閉的密封以阻擋濕氣的滲入。

在制造用于保持BAW濾波器裝置的BAW濾波器的密封的BAW濾波器裝置時，硅-硅(Si-Si)直接鍵合(bonding)技術、硅-玻璃(Si-Glass)陽極鍵合技術以及使用玻璃料的鍵合技術為目前使用的晶圓級鍵合技術的示例。然而，由于鍵合溫度高或可加工性差，導致這些技術不是普遍地適于BAW濾波器裝置的封裝。因此，需要改進密封BAW濾波器裝置中的BAW濾波器的技術，以提供例如高耐氧化性以及諸如高斷裂韌性的良好的機械特性。

發明內容

提供該發明內容以簡化形式介紹選擇的構思，以下在具體實施方式中進一步描述所述構思。本發明內容無意限定所要求保護的主題的主要特征或必要特征，也無意用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面中，一種聲波濾波器裝置包括：基體，具有設置在基體上的聲波濾波器部件和鍵合件，鍵合件圍繞聲波濾波器部件；蓋，具有設置在蓋上的鍵合對應件，鍵合對應件鍵合到基體的鍵合件，鍵合件包括包含金的第一鍵合層，鍵合對應件包括鍵合到第一鍵合層并且包含錫的第二鍵合層。

第一鍵合層的厚度可等于或大于第二鍵合層的厚度的1.2倍且等于或小于第二鍵合層的厚度的2倍。

第一鍵合層的厚度可以在大約1.5μm至3μm的范圍內。

鍵合對應件可包括設置在第二鍵合層之上位于第二鍵合層與蓋之間且由金形成的輔助鍵合層。

鍵合件可包括設置在基體上的第一粘合層。

第一粘合層可包含鉻或鈦。

鍵合對應件可包括設置在蓋上的第二粘合層。

第二粘合層可包含鉻或鈦。

蓋可包括用于將聲波濾波器部件容納在其中的槽。

第一鍵合層和第二鍵合層可通過施加到第一鍵合層和第二鍵合層的熱和壓力而彼此鍵合。

第一鍵合層和第二鍵合層可在280℃至350℃的溫度環境下彼此鍵合。

在另一總的方面中，一種用于制造聲波濾波器裝置的封裝件包括：基體晶圓，具有設置在基體晶圓上的聲波濾波器部件和鍵合件，鍵合件圍繞聲波濾波器部件；蓋晶圓，具有設置在蓋晶圓上的鍵合對應件，鍵合對應件鍵合到基體晶圓的對應的鍵合件。鍵合件包括包含金的第一鍵合層，鍵合對應件包括包含錫且鍵合到第一鍵合層的第二鍵合層。

第一鍵合層的厚度可等于或大于第二鍵合層的厚度的1.2倍且等于或小于第二鍵合層的厚度的2倍。

第一鍵合層的厚度可以1.5μm至3μm。

蓋晶圓可包括設置在蓋晶圓中且設置在與聲波濾波器部件中的至少一個對應的位置的至少一個槽。