[發(fā)明專利]聲波濾波器裝置、制造聲波濾波器裝置的封裝件和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610920628.2
• 申請(qǐng)日: 2016-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN107040231B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康崙盛;姜珌中;金光洙;南智惠;梁正承;李楨日;宋鐘亨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H3/02
• 分類號(hào): H03H3/02;H03H9/10;H03H9/64
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 馬翠平;劉奕晴

1.一種聲波濾波器裝置，包括：

基體，具有設(shè)置在基體上的聲波濾波器部件和鍵合件，鍵合件圍繞聲波濾波器部件；

蓋，具有設(shè)置在蓋上的鍵合對(duì)應(yīng)件，鍵合對(duì)應(yīng)件鍵合到基體的鍵合件，

其中，鍵合件包括包含金的第一鍵合層，

鍵合對(duì)應(yīng)件包括鍵合到第一鍵合層并且包含錫的第二鍵合層以及設(shè)置在第二鍵合層之上位于第二鍵合層與蓋之間且由金形成的輔助鍵合層，

其中，所述輔助鍵合層的厚度與所述第二鍵合層和所述輔助鍵合層的總厚度的比在1/40至1/20的范圍內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，第一鍵合層的厚度等于或大于第二鍵合層的厚度的1.2倍且等于或小于第二鍵合層的厚度的2倍。

3.如權(quán)利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，第一鍵合層的厚度在1.5μm至3μm的范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，鍵合件包括設(shè)置在基體上的第一粘合層。

5.如權(quán)利要求4所述的聲波濾波器裝置，其中，第一粘合層包含鉻或鈦。

6.如權(quán)利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，鍵合對(duì)應(yīng)件包括設(shè)置在蓋上的第二粘合層。

7.如權(quán)利要求6所述的聲波濾波器裝置，其中，第二粘合層包含鉻或鈦。

8.如權(quán)利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，蓋包括槽，槽位于所述聲波濾波器部件之上。

9.如權(quán)利要求1所述的聲波濾波器裝置，其中，第一鍵合層和第二鍵合層通過(guò)施加到第一鍵合層和第二鍵合層的熱和壓力而彼此鍵合。

10.如權(quán)利要求9所述的聲波濾波器裝置，其中，第一鍵合層和第二鍵合層在280℃至350℃的溫度環(huán)境下彼此鍵合。

11.一種用于制造聲波濾波器裝置的封裝件，所述封裝件包括：

基體晶圓，具有設(shè)置在基體晶圓上的聲波濾波器部件和鍵合件，鍵合件圍繞聲波濾波器部件；

蓋晶圓，具有設(shè)置在蓋晶圓上的鍵合對(duì)應(yīng)件，鍵合對(duì)應(yīng)件鍵合到基體晶圓的對(duì)應(yīng)的鍵合件，

其中，鍵合件包括包含金的第一鍵合層，

鍵合對(duì)應(yīng)件包括包含錫且鍵合到第一鍵合層的第二鍵合層以及設(shè)置在第二鍵合層之上位于第二鍵合層與蓋晶圓之間且由金形成的輔助鍵合層，

其中，所述輔助鍵合層的厚度與所述第二鍵合層和所述輔助鍵合層的總厚度的比在1/40至1/20的范圍內(nèi)。

12.如權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，第一鍵合層的厚度等于或大于第二鍵合層的厚度的1.2倍且等于或小于第二鍵合層的厚度的2倍。

13.如權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，第一鍵合層的厚度為1.5μm至3μm。

14.如權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，蓋晶圓包括設(shè)置在蓋晶圓中且設(shè)置在與聲波濾波器部件中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)的位置的至少一個(gè)槽。

15.如權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，第一鍵合層和第二鍵合層通過(guò)在280℃至350℃的溫度范圍內(nèi)施加到第一鍵合層和第二鍵合層的壓力而彼此鍵合。