[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610919834.1
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN107017297B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 陳蕙祺;沈香谷;葉震亞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底的上方形成第一柵極結構，所述第一柵極結構包含第一柵電極、設置在所述第一柵電極上方的第一覆蓋絕緣層、設置在所述第一柵電極和所述第一覆蓋絕緣層的相對側面上的第一側壁間隔件，和設置在所述第一側壁間隔件上的第二側壁間隔件，所述第一柵極結構在第一方向上延伸；

形成第一源極/漏極區；

在所述第一源極/漏極區的上方形成第一絕緣層；

在形成所述第一絕緣層之后，凹進所述第一覆蓋絕緣層和所述第二側壁間隔件，并凹進所述第一側壁間隔件，從而形成第一凹進空間；并且

在所述第一凹進空間中形成第一保護層，其中：

在沿著垂直于所述第一方向的第二方向的截面中，所述第一凹進空間具有擁有頭部和兩個腿部的π形狀，所述頭部位于所述第一覆蓋絕緣層和所述第二側壁間隔件之上，所述腿部位于所述第一側壁間隔件之上，并且

在沿著所述第二方向的截面中，所述第一保護層具有擁有頭部和兩個腿部的π形狀；

其中，所述第一保護層與所述第一側壁間隔件接觸的表面高于所述第一覆蓋絕緣層與所述第一柵電極接觸的表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一覆蓋絕緣層由與所述第二側壁間隔件相同的材料制成且由不同于所述第一側壁間隔件的材料制成。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一覆蓋絕緣層和所述第二側壁間隔件由氮化硅基材料制成。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一側壁間隔件由氧化硅基材料制成。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一側壁間隔件由SiOC和SiOCN中的至少一種制成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一保護層由氮化鋁、氮氧化鋁、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯中的至少一種制成。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在凹進所述第一側壁間隔件之前，實施凹進所述第一覆蓋絕緣層和所述第二側壁間隔件。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在凹進所述第一側壁間隔件之后，實施凹進所述第一覆蓋絕緣層和所述第二側壁間隔件。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括，在形成所述第一保護層之后：

去除所述源極/漏極區之上的所述第一絕緣層的部分，從而形成接觸孔；和

使用導電材料填充所述接觸孔；

凹進填充的所述導電材料；以及

在凹進的所述導電材料的上方形成第二絕緣層，

其中，當形成所述接觸孔時，所述第一覆蓋絕緣層未被蝕刻。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二絕緣層由SiOC、SiC和SiOCN中的至少一種制成。