[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、測(cè)量電容的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610919830.3
• 申請(qǐng)日: 2016-10-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107978599B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括器件區(qū)和隔離區(qū)；

位于所述器件區(qū)的第一晶體管，所述第一晶體管包括：位于所述器件區(qū)基底表面的第一柵極結(jié)構(gòu)；分別位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的器件區(qū)基底中的第一輕摻雜源區(qū)和第一輕摻雜漏區(qū)；位于所述第一輕摻雜漏區(qū)中的第一漏區(qū)；位于器件區(qū)第一輕摻雜源區(qū)中的第一源區(qū)；

連接所述第一漏區(qū)的第一漏插塞；

連接所述第一源區(qū)的第一源插塞；

位于所述隔離區(qū)基底中的隔離層；

位于所述隔離區(qū)的第二晶體管，所述第二晶體管包括：位于所述隔離層表面的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)與所述第一柵極結(jié)構(gòu)電相連；位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)基底中的第二漏區(qū)；

連接所述第二漏區(qū)的第二漏插塞，所述第二漏插塞與所述第一漏插塞電連接；

第二源結(jié)構(gòu)或柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二源結(jié)構(gòu)包括第二源區(qū)和第二源插塞，所述第二源區(qū)位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)的隔離區(qū)基底中，所述第二源區(qū)與第二源插塞連接，所述第二源插塞與所述第一源插塞電連接，所述柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底包括：襯底；位于所述器件區(qū)襯底上的第一鰭部；位于所述隔離區(qū)襯底上的第二鰭部，所述第二鰭部中具有開(kāi)口，所述隔離層位于所述開(kāi)口中。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鰭部的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)；所述第二鰭部的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第一鰭部；所述第一源區(qū)和第一漏區(qū)分別位于所述第一鰭部中；所述第二柵極結(jié)構(gòu)沿垂直于所述第二鰭部延伸方向的方向橫跨所述隔離層，所述第一源區(qū)位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的第二鰭部中。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件區(qū)包括第一器件區(qū)和第二器件區(qū)，所述第一器件區(qū)和第二器件區(qū)分別位于所述隔離區(qū)兩側(cè)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一晶體管的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)；所述第二晶體管的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二晶體管還包括：分別位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底中的第二輕摻雜源區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)，所述第二漏區(qū)位于所述第二輕摻雜漏區(qū)中，所述第二輕摻雜漏區(qū)與所述第二輕摻雜源區(qū)中具有輕摻雜離子。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述器件區(qū)和隔離區(qū)基底上的介質(zhì)層，所述第一漏插塞和第二漏插塞位于所述介質(zhì)層中。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)下方基底中具有溝道摻雜離子；所述第一輕摻雜漏區(qū)以及所述第一輕摻雜源區(qū)中具有輕摻雜離子，所述輕摻雜離子與所述溝道摻雜離子的導(dǎo)電類型不同。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離層的材料為氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。