[發明專利]互連結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201610916225.0
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN106935567B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識產權代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉<國際申請>=<國際公布>=

本發明實施例提供了一種互連結構，包括非絕緣體結構、介電結構、導電結構和第一介電保護層。介電結構，存在于非絕緣體結構上。介電結構具有在其中的溝槽開口和通孔開口。通孔開口在溝槽開口和非絕緣體結構之間。導電結構，存在于溝槽開口和通孔開口中，并電連接至非絕緣體結構。第一介電保護層，存在于導電結構和溝槽開口的至少一個側壁之間。本發明實施例涉及互連結構及其形成方法。

技術領域

本發明實施例涉及互連結構及其形成方法。

背景技術

雙鑲嵌工藝是用于在半導體器件中形成互連件的技術。隨著部件尺寸變得更小，雙鑲嵌工藝提供了對小幾何結構更精確的尺寸控制。因此，雙鑲嵌工藝適于超大規模集成(ULSI)電路的技術，其中，越來越多的器件被封裝到半導體襯底中的相同或更小的區域中。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種互連結構，包括：非絕緣體結構；介電結構，存在于所述非絕緣體結構上，其中，所述介電結構中具有溝槽開口和通孔開口，并且所述通孔開口存在于所述溝槽開口和所述非絕緣體結構之間；導電結構，存在于所述溝槽開口和所述通孔開口中，并電連接至所述非絕緣體結構；以及第一介電保護層，存在于所述導電結構和所述溝槽開口的至少一個側壁之間。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種互連結構，包括：非絕緣體結構；襯墊層，存在于所述非絕緣體結構上，并具有位于所述襯墊層中的開口；介電結構，存在于所述襯墊層上，所述介電結構中包括通孔開口，所述通孔開口具有至少一個側壁；介電通孔襯墊，存在于所述介電結構的通孔開口的側壁上，并且鄰近所述襯墊層；以及導電結構，存在于所述通孔開口中，并且通過所述襯墊層的開口電連接至所述非絕緣體結構。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種形成互連結構的方法，包括：在非絕緣體結構上形成第一介電結構；在所述第一介電結構中形成通孔開口；在所述通孔開口中形成偽結構；在所述第一介電結構和所述偽結構上形成蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層上形成第二介電層；在所述第二介電結構中形成溝槽開口，以暴露所述蝕刻停止層的一部分；去除所述蝕刻停止層的暴露部分，以至少暴露所述偽結構；去除位于所述通孔開口中的所述偽結構；以及在所述溝槽開口和所述通孔開口中形成導電結構，其中，所述導電結構電連接至所述非絕緣體結構。

附圖說明

在閱讀附圖時，從下列詳細描述可以更好地理解本發明的各個方面。應當注意，根據工業中的標準實踐，各個部件并非按比例繪制。事實上，為了清楚討論，各個部件的尺寸可以任意增大或減小。

圖1至圖14是根據本發明的一些實施例的處于不同階段中的制造互連結構的方法的截面圖。

具體實施方式

下列公開提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面將描述元件和布置的特定實例以簡化本發明。當然這些僅僅是實例并不旨在限定本發明。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括第一部件和第二部件以直接接觸方式形成的實施例，也可以包括額外的部件可以形成在第一和第二部件之間，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可以在各實施例中重復參考標號和/或字符。這種重復僅是為了簡明和清楚，其自身并不表示所論述的各個實施例和/或配置之間的關系。

此外，為便于描述，空間相對術語如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等在本文可用于描述附圖中示出的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。空間相對術語旨在包括除了附圖中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上)，本文使用的空間相對描述符可同樣地作相應解釋。

圖1至圖14是根據本發明的一些實施例的處于各個階段中的制造半導體器件的方法的截面圖。