[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201610915624.5
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN107968046B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 沈滿華;劉暢;周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/8232
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底的表面上形成阻擋層；

在所述阻擋層上形成倒梯形的負性的光刻膠圖案；

對所述光刻膠圖案進行各向同性蝕刻，以使所述光刻膠圖案的側壁與所述半導體襯底的表面垂直；

進行各向異性蝕刻，以蝕刻去除所述光刻膠圖案側壁外側的所述阻擋層；

在所述光刻膠圖案的側壁上形成間隙壁；

去除所述光刻膠圖案和所述阻擋層。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述倒梯形的光刻膠圖案的方法包括：

在所述半導體襯底上旋涂負性光刻膠；

利用明場光罩對所述負性光刻膠進行曝光；

將未被曝光的負性光刻膠顯影去除，以形成所述倒梯形的光刻膠圖案。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述顯影使用的顯影液包括乙酸正丁酯。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層為低溫氧化物層。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述低溫氧化物層的方法包括：在低于200℃的溫度下實施等離子體增強化學氣相沉積。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用等離子體蝕刻實施所述各向同性蝕刻。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述等離子體蝕刻使用包括HBr和He的蝕刻氣體，或者，使用包括氧氣的蝕刻氣體。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用等離子體蝕刻實施所述各向異性蝕刻，所述等離子體蝕刻的蝕刻氣體包括碳氟化合物。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述光刻膠圖案和所述阻擋層的步驟之后，還包括步驟：

以所述間隙壁為掩膜蝕刻所述半導體襯底，將圖案轉移至所述半導體襯底中。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述光刻膠圖案的側壁上形成間隙壁的步驟包括以下過程：

共形沉積間隙壁材料層，以覆蓋所述光刻膠圖案、所述阻擋層和部分所述半導體襯底露出的表面；

回蝕刻去除所述光刻膠圖案頂面上以及部分所述半導體襯底表面上的所述間隙壁材料層，以形成所述間隙壁。