[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法、引線框架及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610915103.X | 申請日: | 2016-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN106847782B | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林真太郎 | 申請(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 引線 框架 | ||
半導(dǎo)體裝置包括引線框架、裝設(shè)在引線框架上的半導(dǎo)體芯片、覆蓋引線框架及半導(dǎo)體芯片的密封樹脂。引線框架具有柱狀的端子。端子具有第1端面、與第1端面為相反側(cè)的第2端面、以及在第1端面與第2端面之間沿縱方向延伸的側(cè)面。在側(cè)面設(shè)有階差部,形成與第2端面為相反側(cè)且具有凹凸部的階差面。在端子中,從第1端面朝向第2端面延伸且包括階差面的第1部分被密封樹脂覆蓋,從第1部分延伸至第2端面的第2部分從密封樹脂突出。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法、引線框架及其制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)已有在引線框架上裝設(shè)半導(dǎo)體芯片,并用樹脂進(jìn)行密封的半導(dǎo)體裝置。作為一例可以舉出,柱狀或角柱狀的端子部的一端側(cè)被樹脂部密封,另一端側(cè)從樹脂部露出的半導(dǎo)體裝置。在該半導(dǎo)體裝置中,端子部的一端側(cè)在樹脂部內(nèi)通過接合線與半導(dǎo)體芯片連接,端子部的另一端被鍍膜覆蓋并能夠與外部連接。在該半導(dǎo)體裝置的制造工序中,通過從金屬制板材的下面?zhèn)乳_始進(jìn)行蝕刻,形成端子部。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2001-24135號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題
然而,如上述半導(dǎo)體裝置那樣從金屬制板材的下面?zhèn)乳_始進(jìn)行蝕刻來形成端子部的情況下,無法在端子部設(shè)置防脫離結(jié)構(gòu)(錨)。因此,端子部有可能從樹脂部脫落。
鑒于以上問題開發(fā)了本發(fā)明,其目的在于提供一種端子部從樹脂部脫落的可能性降低的半導(dǎo)體裝置。
解決上述課題的手段
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括引線框架、裝設(shè)在引線框架上的半導(dǎo)體芯片、覆蓋引線框架及半導(dǎo)體芯片的密封樹脂。引線框架具有柱狀的端子。端子具有第1端面、與第1端面為相反側(cè)的第2端面、以及在第1 端面與第2端面之間沿縱方向延伸的側(cè)面。在側(cè)面設(shè)有階差,形成與第 2端面為相反側(cè)且具有凹凸的階差面。在端子中,從第1端面朝向第2端面延伸且包括階差面的第1部分被密封樹脂覆蓋,從第1部分延伸至第2 端面的第2部分從密封樹脂突出。
發(fā)明的效果
根據(jù)以上公開的技術(shù),能夠提供一種端子部從樹脂部脫落的可能性降低的半導(dǎo)體裝置。
附圖說明
圖1A是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖1B是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖1C是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的局部擴(kuò)大剖面圖。
圖1D是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的局部擴(kuò)大平面圖。
圖2是說明S比率的圖。
圖3A是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的平面圖(其 1)。
圖3B是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖(其 1)。
圖4A是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的平面圖(其 2)。
圖4B是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖(其 2)。
圖4C是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的局部擴(kuò)大剖面圖(其2)。
圖4D是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的局部擴(kuò)大平面圖(其2)。
圖5A是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的平面圖(其3)。
圖5B是例示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖(其 3)。
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